[发明专利]一种通过嫁接制备单晶金属的方法

权利要求书

1.一种通过嫁接制备单晶金属的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

提供一第一单晶金属及一第一多晶金属；

将所述第一单晶金属放置于所述第一多晶金属之上；

退火，以所述第一单晶金属作为子晶将所述第一多晶金属转换成与所述第一单晶金属晶面指数相同的第二单晶金属；

所述方法具体包括如下步骤：

(一)使用任意晶面的第一单晶金属作为嫁接的子晶；

(二)将第一单晶金属放置于需要单晶化的第一多晶金属之上；

(三)将所述第一多晶金属放置于管式炉当中，通入Ar，流量为300sccm以上，然后开始升温，升温过程持续1～100min；

(四)温度升至900～1500℃时，通入H₂气体，H₂流量为10～500sccm，Ar流量保持不变，进行退火过程，退火持续时间为10min～500min；

(五)退火结束后，关闭加热电源，以Ar和H₂为保护气体，自然冷却至室温，第一多晶金属转化成与第一单晶金属相同晶面的第二单晶金属，即完成嫁接制备第二单晶金属的过程；

其中，所述第一单晶金属的面积为所述第一多晶金属的面积的1％-50％，所述第一单晶金属包括面心立方晶系、体心立方晶系、或六方晶系的单晶金属，第二单晶金属包括铜、铝、金、银、铂、钯、或镍。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一单晶金属的晶面方向包括常见的(111)、(110)、(100)和不常见的(211)、(410)、(311)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，第一单晶金属自然放置于第一多晶金属之上，不需做任何处理。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，制备的第二单晶金属尺寸为40cm*20cm及以上。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第一单晶金属、所述第一多晶金属和所述第二单晶金属均为一箔片。