[发明专利]高遮蔽性电磁干扰屏蔽膜及其制备方法

权利要求书

1.一种高遮蔽性电磁干扰屏蔽膜，其特征在于：包括层叠设置的第一离型层(60)、底涂层(20)、黑色绝缘层(10)、接着剂层(30)、导电纤维层(40)、导电胶层(50)和第二离型层(70)；

其中，所述黑色绝缘层的厚度为3～30μm；

所述导电纤维层的厚度为5～30μm；

所述导电胶层的厚度为3～30μm；

所述接着剂层的厚度为3～12μm；

该屏蔽膜总厚度为11～103μm。

2.根据权利要求1所述的高遮蔽性电磁干扰屏蔽膜，其特征在于：所述黑色绝缘层为黑色聚酰亚胺膜(11)或黑色油墨层(12)，该黑色绝缘层的厚度为3～9μm。

3.根据权利要求1所述的高遮蔽性电磁干扰屏蔽膜，其特征在于：所述黑色绝缘层为双层结构，由黑色聚酰亚胺层和黑色油墨层复合而成，该黑色绝缘层的厚度为3～9μm。

4.根据权利要求2或3所述的高遮蔽性电磁干扰屏蔽膜，其特征在于：所述黑色油墨层为环氧树脂、丙烯酸系树脂、胺基甲酸酯系树脂、硅橡胶系树脂、聚对环二甲苯系树脂、双马来酰亚胺系树脂中的至少一种制成的油墨层,所述油墨层中含有卤素、磷、氮和硼系中至少一种的具阻燃性之化合物。

5.根据权利要求1所述的高遮蔽性电磁干扰屏蔽膜，其特征在于：所述接着剂层(30)为添加炭黑的环氧胶，所述接着剂层的厚度为3～6μm。

6.根据权利要求1所述的高遮蔽性电磁干扰屏蔽膜，其特征在于：所述底涂层的材质为白色或灰色油墨；所述底涂层中添加掺杂物，所述掺杂物为二氧化钛、二氧化硅、氧化铝、氢氧化铝和碳酸钙中的至少一种。

7.根据权利要求1所述的高遮蔽性电磁干扰屏蔽膜，其特征在于：所述导电纤维层为纯金属纤维层或者金属化纤维层，所述纯金属纤维层为铜纤维层、铝纤维层或铅纤维层，所述金属化纤维层采用聚酯纤维布为基材，并在基材上镀上金属镀层，所述金属镀层为铜、镍、钴、锡、银、铁、金镀层中的至少一种。

8.根据权利要求1所述的高遮蔽性电磁干扰屏蔽膜，其特征在于：所述导电胶层的厚度为5～15μm，所述导电胶层为下列两种结构中的一种：

一、所述导电胶层为具有导电粒子的单层导电胶层或不含导电粒子的单层导电胶层；

二、所述导电胶层为双层结构，且所述导电胶层是由一层不带导电粒子的粘着层和一层带导电粒子的导电粘着层迭合构成，其中，不带导电粒子的粘着层粘接于所述导电纤维层和所述带导电粒子的导电胶层之间。

9.根据权利要求1所述的高遮蔽性电磁干扰屏蔽膜，其特征在于：所述第一离型层和第二离型层为下列三种结构中的一种：

一、离型层为离型膜，所述离型膜的厚度25～100μm，所述离型膜为PET氟塑离型膜、PET含硅油离型膜、PET亚光离型膜和PE离型膜中的至少一种；

二、离型层为离型纸，所述离型纸的厚度为25～130μm，所述离型纸为PE淋膜纸。

三、离型层为低粘着载体膜，所述载体膜的厚度为25～100μm，所述载体膜为聚乙烯对苯二甲酸酯膜、聚乙烯膜或聚丙烯膜。

10.一种根据权利要求1～9中任一项所述的高遮蔽性电磁干扰屏蔽膜的制备方法，其特征在于：所述制备方法为下列方法中的一种：

方法一：步骤如下：

步骤1：在第一离型层(60)上涂布底涂层(20)，

步骤2：在底涂层上涂布黑色绝缘层(10)，

步骤3：在黑色绝缘层上涂布接着剂层(30)，在接着剂层上贴合导电纤维层(40)，得半成品一，

步骤4：在第二离型层(70)上涂布导电胶层(50)，得半成品二，

步骤5：将半成品二中的导电胶层与半成品一中的导电纤维层相互贴合，得成品屏蔽膜；

方法二：步骤如下：

步骤1：在第一离型层(60)上涂布底涂层(20)，

步骤2：在底涂层上涂布黑色绝缘层(10)，得半成品一，

步骤3：在导电纤维层(40)的一面涂布导电胶层(50)，在导电胶层贴合第二离型层(70)，

步骤4：在导电纤维层(40)的另一面涂布接着剂层(30)，得半成品二，

步骤5：将半成品二中的接着剂层(30)贴合半成品一中的黑色绝缘层(10)，得成品屏蔽膜；

方法三：步骤如下：

步骤1：在第一离型层(60)上涂布底涂层(20)，

步骤2：在底涂层上涂布黑色绝缘层(10)，得半成品一，

步骤3：在导电纤维层的一面涂布接着剂层(30)，在接着剂层上贴合半成品一中的黑色绝缘层(10)，得半成品二，

步骤4：最后将半成品二中的导电纤维层另一面涂布导电胶层(50)，在导电胶层上贴合第二离型层(70)，得成品屏蔽膜；

方法四：步骤如下：

步骤1：在第一离型层(60)上涂布底涂层(20)，

步骤2：在底涂层上涂布黑色绝缘层(10)，

步骤3：在黑色绝缘层上涂布接着剂层(30)，在接着剂层贴合导电纤维层(40)的一面，

步骤4：在导电纤维层的另一面涂布导电胶层(50)，在导电胶层上贴合第二离型层(70)，得成品屏蔽膜。