[发明专利]一种低功耗静电驱动式RF MEMS开关的制造方法在审
| 申请号： | 201910172128.9 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN109911845A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 钱娟;王鹏飞;陈泓宇 | 申请（专利权）人： | 无锡众创未来科技应用有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01H59/00 |
| 代理公司： | 广州市百拓共享专利代理事务所(特殊普通合伙) 44497 | 代理人： | 卢刚 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电驱动 低功耗 制造 深反应离子刻蚀 湿法刻蚀 行业需求 制造工艺 电镀 高寿命 优化 | ||
1.一种低功耗静电驱动式RF MEMS开关的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)对硅基片进行研磨、抛光，并使用溶液进行超声波清洗；
(2)在硅基片表面生长2μm厚的氧化层；
(3)在氧化层表面沉积5μm厚的牺牲层；
(4)湿法刻蚀，去除多余的牺牲层，形成硅槽；
(5)沉积0.35μm厚的支撑层；
(6)深反应离子刻蚀，去除多余的支撑层，形成线路图形；
(7)沉积1μm厚的牺牲层；
(8)湿法刻蚀，去除多余的牺牲层；
(9)沉积0.5μm厚铜和0.1μm厚的钛作为电镀基体；
(10)旋涂光刻胶，形成电镀金属层的网板；
(11)在网板内电镀20μm厚的金属镍层；
(12)去除光刻胶网板；
(13)电镀10μm厚的金，形成触点；
(14)用氟化氢溶液去除牺牲层和氧化层；
(15)用氢氧化钾刻蚀硅基片，形成硅槽，完成RF MEMS开关。
2.如权利要求1所述的低功耗静电驱动式RF MEMS开关的制造方法，其特征在于，所述步骤(1)中首先用浓硫酸和过氧化氢溶液浸泡并超声波清洗，浸泡时间为10分钟，然后使用酒精浸泡并超声波清洗，时间为5分钟，之后用去离子水冲洗干净，再用氮气吹干。
3.如权利要求1所述的低功耗静电驱动式RF MEMS开关的制造方法，其特征在于，所述步骤(3)或所述步骤(7)中的牺牲层使用磷硅酸盐玻璃。
4.如权利要求1所述的低功耗静电驱动式RF MEMS开关的制造方法，其特征在于，所述步骤(5)中的支撑层使用氮化硅。
5.如权利要求1所述的低功耗静电驱动式RF MEMS开关的制造方法，其特征在于，所述步骤(4)或所述步骤(8)中湿法刻蚀采用四甲基氢氧化氨水溶液，腐蚀温度为70℃至80℃，四甲基氢氧化氨水溶液体积分数为25％。
6.如权利要求1所述的低功耗静电驱动式RF MEMS开关的制造方法，其特征在于，所述步骤(6)中深反应离子刻蚀采用的气体为四氟化碳。
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