[发明专利]像素单元及其制造方法、显示基板有效
申请号: | 201910172155.6 | 申请日: | 2019-03-07 |
公开(公告)号: | CN109920823B | 公开(公告)日: | 2020-12-11 |
发明(设计)人: | 刘军;闫梁臣;周斌;苏同上;刘宁;宋威;刘融;冯波 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L27/12;H01L51/56 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 赵国荣 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 单元 及其 制造 方法 显示 | ||
1.一种像素单元,包括:
电介质层;
开关元件,包括有源层且位于所述电介质层上;以及
第一遮光结构,至少部分与所述电介质层同层;
其中,所述第一遮光结构在所述有源层所在面上的正投影位于所述有源层在所述有源层所在面上的正投影之外;
所述电介质层的与所述第一遮光结构同层且面向所述第一遮光结构的侧壁的至少一部分形成为凸凹结构。
2.根据权利要求1所述的像素单元,其中,
所述电介质层设置在所述第一遮光结构的与所述电介质层同层的部分的至少相对的两侧。
3.根据权利要求1所述的像素单元,其中,
在平行于所述电介质层的面上,所述电介质层设置有围绕所述开关元件的开口或槽,所述开口或槽的侧壁形成为所述凸凹结构。
4.根据权利要求3所述的像素单元,其中,
所述电介质层为由至少两个子电介质层构成的叠层。
5.根据权利要求4所述的像素单元,其中,
相邻的所述子电介质层中的所述开口连通或者相邻的所述子电介质层之一的开口与另一个的槽连通,以及
相邻的所述子电介质层中的所述开口或者相邻的所述子电介质层之一的开口与另一个的槽在所述有源层所在面上的正投影至少部分不交叠。
6.根据权利要求5所述的像素单元,其中,
所述电介质层包括第一子电介质层和第二子电介质层,所述第一子电介质层位于所述第二子电介质层和所述有源层之间,所述第一子电介质层中设置有第一开口,所述第二子电介质层中设置有第二开口或者第二槽,
所述第一开口和所述第二开口或者第二槽连通,并且所述第一开口在所述有源层所在面上的正投影位于所述第二开口或者第二槽在所述有源层所在面上的正投影之内。
7.根据权利要求5所述的像素单元,其中,
所述电介质层包括至少三个所述子电介质层,位于两侧的所述子电介质层的所述开口或槽在所述有源层所在面上的正投影的投影位于中间的所述子电介质层的开口在所述有源层所在面上的正投影之内。
8.根据权利要求1-7任一所述的像素单元,其中,
所述第一遮光结构包括第一部分和第二部分,所述第一部分与所述电介质层同层,所述第二部分与所述电介质层位于不同层。
9.根据权利要求8所述的像素单元,其中,
所述第二部分的背离所述电介质层的一端至所述电介质层所在面的距离大于或等于所述有源层的背离所述电介质层的表面至所述电介质层所在面的距离。
10.根据权利要求8所述的像素单元,还包括黑矩阵,其中,
所述像素单元包括显示区和位于所述显示区周围的非显示区,所述黑矩阵和所述第一遮光结构位于所述非显示区,
所述黑矩阵与所述第二部分同层且为一体化结构。
11.根据权利要求1-7任一所述的像素单元,还包括:
第二遮光结构,位于所述电介质层背离所述有源层的一侧;
其中,所述有源层在所述有源层所在面上的正投影与所述第二遮光结构在所述有源层所在面上的正投影重合,或者
所述有源层在所述有源层所在面上的正投影位于所述第二遮光结构在所述有源层所在面上的正投影之内。
12.根据权利要求11所述的像素单元,其中,
所述第二遮光结构在所述有源层所在面上的正投影位于所述第一遮光结构在所述有源层所在面上的正投影的内侧。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的