[发明专利]植物补光用倒装式高压LED光源及光照设备有效
申请号: | 201910172491.0 | 申请日: | 2019-03-07 |
公开(公告)号: | CN111668200B | 公开(公告)日: | 2022-05-06 |
发明(设计)人: | 潘翔;李许可;胡召彬;姚春霞 | 申请(专利权)人: | 杭州汉徽光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/50;H01L33/62;A01G7/04 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 310000 浙江省杭州市滨*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 植物 补光用 倒装 高压 led 光源 光照 设备 | ||
1.一种植物补光用倒装式高压LED光源,其特征在于,包括基板、高压LED晶片组和胶粉层;
所述基板上形成有绝缘层,所述绝缘层上形成有连接电路,所述高压LED晶片组的P电极焊盘和N电极焊盘通过共晶焊、键合或导电胶粘接的方式焊接在连接电路上;
所述高压LED晶片组包括多个串联和/或并联连接的LED晶片;所述LED晶片为蓝光LED晶片和/或紫外LED晶片;
所述LED晶片为倒装式LED晶片,所述LED晶片包括衬底层、依次层叠在所述衬底层下方的N-GaN层、发光层、P-GaN层和透明导电层;所述LED晶片上还设有P电极焊盘和N电极焊盘,且P电极焊盘和N电极焊盘在芯片同一侧,所述P电极焊盘设于所述透明导电层上,所述N电极焊盘设于所述N-GaN层上,且P电极焊盘与N电极焊盘两者间相互电隔离;
所述LED晶片以串联方式连接,LED晶片的P电极焊盘与另一个LED晶片的N电极焊盘通过连接电极连接;或者,LED晶片以先串联方式后并联方式连接,至少包括两个并联的LED晶片组,所述LED晶片组内部的LED晶片的P电极焊盘和N电极焊盘通过连接电极相互串联连接;或者,LED晶片以先并联方式后串联方式连接,至少包括两个串联的LED晶片组,所述LED晶片组内部的LED晶片P电极焊盘和N电极焊盘通过连接电极相互并联连接;
在所述LED晶片的上方覆盖有胶粉层;所述胶粉层将LED晶片固定于所述基板上,且其为透明胶黏介质和红色荧光粒子的混合物;
通过控制胶粉层的透明胶黏介质和红色荧光粒子的重量比,以及该胶粉层的厚度,使得植物补光用倒装式高压LED光源在单位时间内发射的红光:蓝光的光子数的比例为65~95:5~35之间;或者在单位时间内发射的红光:蓝光:紫外光的光子数比例为70~95:5~30:1~5之间。
2.根据权利要求1所述的植物补光用倒装式高压LED光源,其特征在于,由所述蓝光LED晶片和紫外LED晶片所发出的蓝光和紫外光,通过胶粉层中的红色荧光粒子,波长转换后形成匹配于光合作用曲线的光谱,适用于植物生长的不同生长阶段的光照需求;
所述蓝光LED晶片发出的光为主波长范围为400nm至480nm的蓝光,且胶粉层的红色荧光粒子受到蓝光激发产生主波长范围为600nm至680nm的红光,未受激发的蓝光和受激发转换的光形成匹配于植物光合作用光谱特征的光谱;
所述紫外LED晶片发出的光为主波长范围为320nm至400nm的紫外光,且胶粉层的红色荧光粒子受到紫外光激发产生主波长范围为600nm至680nm的红光,未受激发的紫外光和受激发转换的光形成符合植物光合作用曲线特征的光谱。
3.根据权利要求2所述的植物补光用倒装式高压LED光源,其特征在于,所述蓝光LED晶片为在400nm~480nm范围内具有发光峰的LED晶片或其不同波长LED晶片组合,所述紫外LED晶片为波长在320nm~400nm的范围内拥有发光峰的LED晶片或其不同波长LED晶片组合。
4.根据权利要求1所述的植物补光用倒装式高压LED光源,其特征在于,所述倒装式LED晶片的工作电压为9-220V,多个倒装式LED晶片串联和/或并联连接,由外部直流或交流电压驱动,驱动电压等于或接近外接AC或DC工作电压。
5.一种光照设备,其特征在于,包括权利要求1-4之一中的植物补光用倒装式高压LED光源。
6.根据权利要求5所述的光照设备,其特征在于,还包括LED驱动器;
所述LED驱动器与高压LED晶片组连接;所述LED驱动器用于驱动所述高压LED晶片组;所述LED驱动器与外接AC或DC电源相连通。
7.根据权利要求6所述的光照设备,其特征在于,还包括电连接器;
所述电连接器与高压LED晶片组连接,所述电连接器与外接AC或DC电源相连通。
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