[发明专利]一种基于相分离的层状钙钛矿发光材料和发光增强方法有效
| 申请号： | 201910172741.0 | 申请日： | 2019-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN110041926B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 石将建;孟庆波;李冬梅;罗艳红;吴会觉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C09K11/66 | 分类号： | C09K11/66;C09K11/06;H01L51/42;H01L51/48;H01L51/46;B82Y20/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京智汇东方知识产权代理事务所(普通合伙) 11391 | 代理人： | 薛峰;康正德 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 分离 层状 钙钛矿 发光 材料 增强 方法 | ||
1.一种基于相分离的层状钙钛矿发光材料，其特征在于，包括通过长链阴离子形成的二维层状杂化和无机钙钛矿材料；所述长链阴离子为长链硫氰根离子，所述通过长链阴离子形成的二维层状杂化材料为(MA)2Pb(SCN)2I2，其中，MA为CH3NH3；所述无机钙钛矿材料为Cs2Pb(SCN)2I2；所述二维层状杂化材料通过溶液法进行薄膜沉积制成，所述二维层状杂化材料存在自发的局域相分离，导致电荷-载流子的空间转移和局域，产生量子阱发光；所述层状钙钛矿发光材料通过控制薄膜衬底粗糙度使得在钙钛矿薄膜内部引入应变以增强材料的相分离和量子阱发光强度。
2.一种基于相分离的层状钙钛矿发光材料的发光增强方法，其特征在于，通过在钙钛矿薄膜内部引入应变，以增强材料的相分离和量子阱发光强度；所述钙钛矿薄膜包括通过长链阴离子形成的二维层状杂化和无机钙钛矿材料；所述二维层状杂化材料通过溶液法进行薄膜沉积制成，所述二维层状杂化材料存在自发的局域相分离，导致电荷-载流子的空间转移和局域，产生量子阱发光；其中，通过在所述钙钛矿薄膜内部引入应变的步骤包括：通过控制薄膜衬底粗糙度使得在钙钛矿薄膜内部引入应变。
3.根据权利要求2所述的基于相分离的层状钙钛矿发光材料的发光增强方法，其特征在于，通过在钙钛矿薄膜上进行微结构的沉积以使得在钙钛矿薄膜内部引入应变。
4.根据权利要求2所述的基于相分离的层状钙钛矿发光材料的发光增强方法，其特征在于，利用纳米颗粒的沉积或纳米结构的直接生长实现对薄膜衬底粗糙度的控制。
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