[发明专利]半导体装置的制造方法、存储介质及基板处理装置

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

接收基板数据的工序，该基板数据包含形成在基板上的器件的层数及结构的任一方或双方；

设定与所述基板数据对应的装置参数的工序；

在基板载置台的上方支撑与所述基板数据对应的基板的工序；

在从所述基板载置台的表面远离的状态下基于所述装置参数使所述基板升温的第一升温工序；

在所述第一升温工序之后使所述基板载置于所述基板载置台的工序；以及

在处理室内对所述基板进行处理的工序。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

具有在所述第一升温工序之后使所述基板载置于所述基板载置台并升温的第二升温工序，

使在所述第一升温工序中设定的所述装置参数和在所述第二升温工序中设定的装置参数不同。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述装置参数是所述第一升温工序中的从所述基板到所述基板载置台表面的远离距离及远离时间的任一方或双方。

4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述装置参数是所述第一升温工序中的从所述基板到所述基板载置台表面的远离距离及远离时间的任一方或双方。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

进一步具有基于所述基板数据对搬运所述基板的镊子进行加热的工序。

6.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

进一步具有基于所述基板数据对搬运所述基板的镊子进行加热的工序。

7.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

进一步具有基于所述基板数据对搬运所述基板的镊子进行加热的工序。

8.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

进一步具有基于所述基板数据对搬运所述基板的镊子进行加热的工序。

9.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一升温工序中，基于所述基板数据以所述基板的表面温度与所述基板的背面温度之差处于预定的范围内的方式对升温速率进行控制。

10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述进行处理的工序中向所述基板供给处理气体而形成所需的膜，

具有在所述进行处理的工序之后基于所述装置参数使所述基板降温的工序。

11.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述进行处理的工序中向所述基板供给处理气体而形成所需的膜，

具有在所述进行处理的工序之后基于所述装置参数使所述基板降温的工序。

12.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述进行处理的工序中向所述基板供给处理气体而形成所需的膜，

具有在所述进行处理的工序之后基于所述装置参数使所述基板降温的工序。

13.一种存储介质，其能够被计算机读取，所述存储介质的特征在于，

存储有利用计算机使基板处理装置执行以下步骤的程序，即：

接收基板数据的步骤，该基板数据包含形成在基板上的器件的层数及结构的任一方或双方；

设定与所述基板数据对应的装置参数的步骤；

在基板载置台的上方支撑与所述基板数据对应的基板的步骤；

在从所述基板载置台的表面远离的状态下基于所述装置参数使所述基板升温的第一升温步骤；

在所述第一升温工序之后使所述基板载置于所述基板载置台的步骤；

在处理室对所述基板进行处理的步骤。