[发明专利]基于化合物材料MISFET器件的热电子效应表征方法

权利要求书

1.一种基于化合物材料MISFET器件的热电子效应测试结构，其特征在于，包括：衬底(1)、P型外延层(2)、绝缘层(3)、钝化层(4)、栅极(5)、第一N+掺杂区(6)、源极(7)、漏极(8)、P+掺杂区(9)、第二N+掺杂区(10)、电极A(11)和电极B(12)；其中，

所述P型外延层(2)位于所述衬底(1)之上；

所述绝缘层(3)位于所述P型外延层(2)之上；

所述栅极(5)位于所述绝缘层(3)之上；

两个所述第一N+掺杂区(6)对应分布在所述P型外延层(2)内；

所述源极(7)和所述漏极(8)分别位于两个所述第一N+掺杂区(6)之上；

所述P+掺杂区(9)和所述第二N+掺杂区(10)位于所述P型外延层(2)内；其中，所述P+掺杂区(9)分布在对应的所述第一N+掺杂区(6)外侧，所述第二N+掺杂区(10)分布在对应的所述P+掺杂区(9)外侧；

所述电极A(11)位于所述P+掺杂区(9)之上；

所述电极B(12)位于所述第二N+掺杂区(10)之上；

所述钝化层(4)位于所述P型外延层(2)之上，且所述钝化层(4)位于所述绝缘层(3)、所述源极(7)、所述漏极(8)、所述电极A(11)和所述电极B(12)四周。

2.一种基于化合物材料MISFET器件的热电子效应表征方法，其特征在于，应用于如权利要求1所述的热电子效应测试结构，以对待测器件的热电子效应进行表征，该方法包括：

通过热电子应力实验获取所述待测器件的第一特性和第二特性；

根据所述第一特性和所述第二特性，获取所述热电子应力实验对所述待测器件特性影响的结果；其中，所述热电子应力实验对所述待测器件特性影响的结果，包括获取热电子注入数量对所述待测器件特性影响的结果、热电子注入能量对所述待测器件特性影响的结果和栅极电压对热电子效应影响的结果。

3.根据权利要求2所述的热电子效应表征方法，其特征在于，所述第一特性和所述第二特性均包括：输出特性和转移特性。

4.根据权利要求2所述的热电子效应表征方法，其特征在于，通过热电子应力实验获取所述待测器件的第一特性和第二特性，包括：

获取所述待测器件的第一特性；

对所述电极A施加第一电压，对所述电极B施加第二电压，对所述栅极施加第三电压，并获取应力时间和栅极电流；其中，所述栅极电流为流过所述栅极的电流；

撤去所述第一电压、所述第二电压和所述第三电压后，获取所述第二特性。

5.根据权利要求4所述的热电子效应表征方法，其特征在于，所述第一电压和所述第二电压满足以下公式：

Va-VbVon，

其中，所述Va为所述第一电压，所述Vb为所述第二电压，所述Von为所述P型外延层与所述第二N+掺杂区形成pn结的导通电压。

6.根据权利要求5所述的热电子效应表征方法，其特征在于，获取热电子注入数量对所述待测器件特性影响的结果，包括：

保持所述第一电压恒定不变，多次改变所述第二电压进行所述应力实验 ，并获取多组第一应力实验数据；其中，第一应力实验数据包括所述第一特性、所述第二特性、所述应力时间、所述栅极电流；

根据多组所述第一应力实验数据获取注入电子数量对所述待测器件特性影响的结果。

7.根据权利要求5所述的热电子效应表征方法，其特征在于，获取热电子注入能量对所述待测器件特性影响的结果，包括：

保持所述第一电压和所述第二电压的压差恒定，多次改变所述第一电压和所述第二电压进行所述应力实验 ，并获取多组第二应力实验数据，其中，每组第二应力实验数据包括所述第一特性、所述第二特性、所述应力时间和所述栅极电流；

根据多组所述第二应力实验数据获取注入电子能量对所述待测器件特性影响的结果。