[发明专利]一种SiC改性的多孔高铝陶瓷材料及其制备方法

权利要求书

1.一种SiC改性的多孔高铝陶瓷材料，其特征在于，所述陶瓷材料坯体原料组成的质量百分比为：氧化铝粉95～99wt％、石英0.5～2.5wt%、碳酸钙0.34～3.93wt%，外加包裹碳化硅0.34～1.0wt%；

所述包裹碳化硅的包裹材料为硫酸铝；

所述包裹碳化硅的制备步骤为：将浓度为4～8wt％的硫酸铝水溶液1000ml，加入颗粒细度为300～600目的碳化硅粉200g，再强烈搅拌溶液的同时逐渐滴入稀氨水至溶液的pH=7.5，经过滤晾干后，用球磨机干法粉碎至颗粒细度为300～600目。

2.根据权利要求1所述的多孔高铝陶瓷材料，其特征在于，所述氧化铝粉的粒径为0.7um，包裹碳化硅的颗粒细度为300～600目。

3.根据权利要求1所述多孔高铝陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述陶瓷材料坯体经配料、混均、成型、干燥、烧制获得制品。

4.根据权利要求3所述的多孔高铝陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述制品内均匀分布有平均孔径为3.9～5.5um的闭气孔，制品抗折强度为265～336MPa，收缩率为9～14%，吸水率为0.01～0.03%，膨胀系数为6.2×10^-6～6.7×10^-6/K。

5.根据权利要求3所述的多孔高铝陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述成型工序采用压制成型或注浆成型。

6.根据权利要求3所述的多孔高铝陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述烧制工序中采用氧化气氛，其烧成制度为：其中烧成周期为25小时，从室温升温12小时至最高烧成温度1710℃，高温保温1小时，降温12小时至280℃。

7.根据权利要求3所述的多孔高铝陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述烧制工序中采用先还原气氛后氧化气氛的工艺，其烧成制度为：其中烧成周期为25小时，从室温用还原气氛升温9.5小时至1320℃，然后转氧化气氛升温1.5～2.5h到最高烧成温度1710℃，高温保温1小时，降温12小时至280℃。

8.根据权利要求5所述的多孔高铝陶瓷材料的制备方法，其特征在于，所述压制成型的压力为20MPa；所述注浆成型用刚玉球磨子和聚氨酯内衬的球磨罐，球磨时加入40wt%水、0.5wt%阿拉伯树胶、0.4wt%聚丙烯酸钠。