[发明专利]一种X射线探测器及其制造方法

权利要求书

1.一种X射线探测器，其特征在于，所述X射线探测包括：

基片；

底电极，制备于所述基片之上；

绝缘层，覆盖在所述底电极和所述基片之上；

宽带隙半导体薄膜有源层，设置于所述绝缘层之上；

收集电极，包括形成于所述宽带隙半导体薄膜有源层上或者形成于所述绝缘层与所述宽带隙半导体薄膜有源层之间，且分立设置的第一电极和第二电极；

所述X射线探测器工作时，在所述第一电极和第二电极上施加工作电压，所述宽带隙半导体薄膜有源层根据来自辐射源的X射线辐射能产生光生载流子，通过所述宽带隙半导体薄膜有源层中的深能级缺陷捕获所述光生载流子，从而进行X射线探测；关闭辐射源后对所述底电极施加脉冲偏压，通过所述绝缘层耗尽所述光生载流子，以控制所述X射线探测器在辐照后的恢复时间。

2.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述基片为刚性基片、柔性有机基片和柔性有机薄膜中的一种；

其中，所述刚性基片包括：Si、蓝宝石、石英玻璃中的任一种；

所述柔性有机基片包括：聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸甲酯、聚二甲基硅氧烷、聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯或有机玻璃中的任一种；

所述柔性有机薄膜包括：聚萘二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚酰亚胺薄膜、聚甲基丙烯酸甲酯薄膜或有机玻璃薄膜中的任一种。

3.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述基片的厚度为0.01~1毫米。

4.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述底电极和所述收集电极的电极材料分别包括：氧化铟锡ITO、Ti/Au、Al、镓锌氧、铝锌氧、氟锡氧、Cr、碳纳米管、石墨烯、银、导电银胶、纳米银透明导电薄膜、铜或钼中的一种或多种。

5.根据权利要求4所述的X射线探测器，其特征在于，所述电极材料的厚度为0.02~0.3微米。

6.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述绝缘层的材料为氧化铝、氧化硅、氮化硅或氧化铪中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述绝缘层的厚度为0.02~0.3微米。

8.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述宽带隙半导体薄膜有源层为Ga₂O₃、ZnO、In-Ga-Zn-O、GaN以及金刚石中的任一种。

9.根据权利要求1所述的X射线探测器，其特征在于，所述宽带隙半导体薄膜有源层厚度为0.02~5微米。

10.一种上述权利要求1所述的X射线探测器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在基片上制备底电极；制备覆盖所述底电极和所述基片的绝缘层；在所述绝缘层上制备宽带隙半导体薄膜有源层；以及在所述宽带隙半导体薄膜有源层上制备收集电极；或者

在基片上制备底电极；制备覆盖所述底电极和所述基片的绝缘层；在所述绝缘层上制备收集电极；以及在带有收集电极的绝缘层上制备宽带隙半导体薄膜有源层。