[发明专利]包含结合垫和结合导线或夹子的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

结合垫(300)，包括：

基底部分(310)，具有基底层(317)；以及

主表面(301)，具有结合区域(305)；

结合导线或夹子(410)，结合到所述结合区域(305)；以及

补充结构(350)，与邻接所述结合区域(305)的所述基底部分(310)直接接触，其中，所述补充结构(350)与所述结合导线或夹子(410)直接邻接或者与所述结合导线或夹子(410)水平地间隔开，其中，所述补充结构(350)的体积比热容高于所述基底层(317)的体积比热容，

其中，所述基底层(317)由铝或铝合金制成。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述结合垫(300)还包括帽部分(320)，并且其中，所述补充结构(350)位于所述帽部分(320)与所述基底部分(310)之间。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，

所述补充结构(350)限定所述结合区域(305)的边界。

4.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

密封结构(490)，至少部分地包封所述结合导线或夹子(410)，其中，所述补充结构(350)位于所述密封结构(490)与所述结合垫(300)之间，其中，所述补充结构(350)的所述体积比热容高于所述密封结构(490)的体积比热容。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其中，

所述密封结构(490)包括硅凝胶和环氧树脂中的至少一种。

6.如权利要求4和5中的任一项所述的半导体器件，其中，

所述密封结构(490)将所述补充结构(350)与所述结合导线或夹子(410)分开。

7.如权利要求1至5中的任一项所述的半导体器件，其中，

所述补充结构(350)包括含有辅助材料的芯部分(355)，所述辅助材料的体积比热容高于铜。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其中，

所述辅助材料是含金属材料。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其中，

所述含金属材料包括镍、氧化镍、镍合金、钴、银、碳化钨、黄玉和氟化锂中的至少一种。

10.如权利要求7所述的半导体器件，其中，

所述辅助材料包括酚醛树脂。

11.如权利要求7所述的半导体器件，其中，

所述补充结构(350)包括包封所述芯部分(355)的衬里部分(359)。

12.一种制造半导体器件的方法，其中，所述方法包括：

在半导体部分(100)上形成结合垫基底部分(310)，其中，所述基底部分(310)还包括基底层(317)；

形成包括结合区域(305)的结合垫主表面(301)；

将结合导线或夹子(410)结合到所述结合区域(305)；以及

直接在所述基底部分(310)上形成补充结构(350)，其中，所述补充结构(350)与所述结合导线或夹子(410)横向地邻接或者与所述结合导线或夹子(410)横向地间隔开，其中，所述补充结构(350)的体积比热容高于所述基底层(317)的体积比热容，

其中，所述基底层(317)由铝或铝合金制成。

13.如权利要求12所述的方法，其中，

在所述结合导线或夹子(410)的结合之前形成所述补充结构(350)。

14.如权利要求13所述的方法，其中，

所述补充结构(350)通过丝网印刷、通过模版印刷或通过光刻形成。