[发明专利]显示装置有效
申请号: | 201910176136.0 | 申请日: | 2019-03-08 |
公开(公告)号: | CN109920824B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | 许文曲;任珂锐 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 柴双;宋洋 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
一基底;
一辅助电极,形成于该基底上,且全面地重叠于一主动区且部分该辅助电极自该主动区延伸至一外围区,该外围区位于该主动区的外侧;
一缓冲层,形成于该辅助电极上;
多个主动元件,位于该缓冲层上,且位于该主动区中;以及
多个发光元件,分别电性连接多个所述主动元件,其中每个所述发光元件包括一第一电极、一第二电极以及位于该第一电极与该第二电极之间的一发光层,其中每个所述第二电极电性连接该辅助电极,其中所述辅助电极与对应的主动元件的一通道层CH1和一通道层CH2于所述基底的垂直投影方向完全重叠,其中该第二电极具有电阻RE2,该辅助电极具有电阻R110,电阻RE2以及电阻R110并联后所得的电阻小于单独的电阻R110或电阻RE2,其中电阻R110小于电阻RE2,其中该主动区电性连接电压信号Vdd以及电压信号Vss,电压信号Vdd电性连接至共用线,而共用线具有电阻RCL,该共用线电性连接该主动区与该电压信号Vdd之间,该电压信号Vss电性连接该电阻R110与电阻RE2之间,而该电阻R110与电阻RE2电性连接该主动区与该电压信号Vss之间。
2.如权利要求1所述的显示装置,还包括一芯片,其中该辅助电极与多个所述第二电极电性连接至该芯片。
3.如权利要求1所述的显示装置,其中多个所述第二电极通过贯穿该缓冲层的多个通孔而电性连接该辅助电极。
4.如权利要求3所述的显示装置,其中多个所述通孔位于该主动区的一第一侧以及相对于该第一侧的一第二侧。
5.如权利要求4所述的显示装置,还包括一栅极驱动电路,位于该主动区的一第三侧以及相对于该第三侧的一第四侧。
6.如权利要求4所述的显示装置,其中多个所述通孔还位于该主动区的一第三侧以及相对于该第三侧的一第四侧。
7.如权利要求1所述的显示装置,还包括:
一栅极绝缘层,位于该缓冲层上;
一第一绝缘层,位于该栅极绝缘层上;
一第二绝缘层,位于该第一绝缘层上,且覆盖多个所述主动元件;以及
一像素定义层,位于该第二绝缘层上。
8.如权利要求1所述的显示装置,其中该辅助电极的材料包括钛、铝、钼、铜、金或上述材料的组合。
9.如权利要求1所述的显示装置,其中该辅助电极的厚度为100纳米至500纳米。
10.如权利要求1所述的显示装置,其中多个所述第二电极的材料包括银、铝、锂、镁、钙、铟、金、铟锡氧化物或上述材料的组合。
11.如权利要求1所述的显示装置,其中多个所述第二电极的厚度为1纳米至50纳米。
12.如权利要求1所述的显示装置,其中该缓冲层包括:
一第一子层,形成于该辅助电极上,其中该第一子层的材料包括氧化硅或氮化硅,且该第一子层的厚度为50纳米至500纳米;以及
一第二子层,形成于该第一子层上,其中该第二子层的材料包括氧化硅或氮化硅,且该第二子层的厚度为50纳米至500纳米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的