[发明专利]显示装置有效

专利信息
申请号: 201910176136.0 申请日: 2019-03-08
公开(公告)号: CN109920824B 公开(公告)日: 2022-03-08
发明(设计)人: 许文曲;任珂锐 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 柴双;宋洋
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括:

一基底;

一辅助电极,形成于该基底上,且全面地重叠于一主动区且部分该辅助电极自该主动区延伸至一外围区,该外围区位于该主动区的外侧;

一缓冲层,形成于该辅助电极上;

多个主动元件,位于该缓冲层上,且位于该主动区中;以及

多个发光元件,分别电性连接多个所述主动元件,其中每个所述发光元件包括一第一电极、一第二电极以及位于该第一电极与该第二电极之间的一发光层,其中每个所述第二电极电性连接该辅助电极,其中所述辅助电极与对应的主动元件的一通道层CH1和一通道层CH2于所述基底的垂直投影方向完全重叠,其中该第二电极具有电阻RE2,该辅助电极具有电阻R110,电阻RE2以及电阻R110并联后所得的电阻小于单独的电阻R110或电阻RE2,其中电阻R110小于电阻RE2,其中该主动区电性连接电压信号Vdd以及电压信号Vss,电压信号Vdd电性连接至共用线,而共用线具有电阻RCL,该共用线电性连接该主动区与该电压信号Vdd之间,该电压信号Vss电性连接该电阻R110与电阻RE2之间,而该电阻R110与电阻RE2电性连接该主动区与该电压信号Vss之间。

2.如权利要求1所述的显示装置,还包括一芯片,其中该辅助电极与多个所述第二电极电性连接至该芯片。

3.如权利要求1所述的显示装置,其中多个所述第二电极通过贯穿该缓冲层的多个通孔而电性连接该辅助电极。

4.如权利要求3所述的显示装置,其中多个所述通孔位于该主动区的一第一侧以及相对于该第一侧的一第二侧。

5.如权利要求4所述的显示装置,还包括一栅极驱动电路,位于该主动区的一第三侧以及相对于该第三侧的一第四侧。

6.如权利要求4所述的显示装置,其中多个所述通孔还位于该主动区的一第三侧以及相对于该第三侧的一第四侧。

7.如权利要求1所述的显示装置,还包括:

一栅极绝缘层,位于该缓冲层上;

一第一绝缘层,位于该栅极绝缘层上;

一第二绝缘层,位于该第一绝缘层上,且覆盖多个所述主动元件;以及

一像素定义层,位于该第二绝缘层上。

8.如权利要求1所述的显示装置,其中该辅助电极的材料包括钛、铝、钼、铜、金或上述材料的组合。

9.如权利要求1所述的显示装置,其中该辅助电极的厚度为100纳米至500纳米。

10.如权利要求1所述的显示装置,其中多个所述第二电极的材料包括银、铝、锂、镁、钙、铟、金、铟锡氧化物或上述材料的组合。

11.如权利要求1所述的显示装置,其中多个所述第二电极的厚度为1纳米至50纳米。

12.如权利要求1所述的显示装置,其中该缓冲层包括:

一第一子层,形成于该辅助电极上,其中该第一子层的材料包括氧化硅或氮化硅,且该第一子层的厚度为50纳米至500纳米;以及

一第二子层,形成于该第一子层上,其中该第二子层的材料包括氧化硅或氮化硅,且该第二子层的厚度为50纳米至500纳米。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910176136.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top