[发明专利]一种测量软磁薄膜高频磁导率的方法

权利要求书

1.一种测量软磁薄膜高频磁导率的方法，其特征是，包括：

(1)准备两片基片，在其中一片基片上沉积一层软磁薄膜，形成测试样品，所述测试样品的一面为软磁薄膜面，与所述软磁薄膜面相对应的一面为基片面；

(2)测试所述测试样品的软磁薄膜的厚度；

(3)将微波同轴连接器的输入端连接网络分析仪，将微波同轴连接器的轴出端的中心连接谐振腔，所述谐振腔具有上腔壁、下腔壁、前腔壁和后腔壁，所述上腔壁、下腔壁、前腔壁和后腔壁围成一中空长方体结构，当微波信号自所述网络分析仪通过所述微波同轴连接器进入所述谐振腔时，微波电场E的方向与所述上腔壁和下腔壁垂直，微波磁场H的方向与所述上腔壁和下腔壁平行，微波磁场H的方向与所述前腔壁和后腔壁平行；

(4)测量空的谐振腔的反射系数S^empty，计算得出空的谐振腔的等效介电常数ε^empty；

(5)将所述基片放入所述谐振腔中，测量所述基片的反射系数S^substrate，计算得出此时的等效介电常数ε^substrate；

(6)将所述测试样品放入所述谐振腔中，所述软磁薄膜面朝上放置,所述软磁薄膜的磁化强度M的方向垂直于所述微波磁场H的方向，测量所述测试样品的微波反射系数S^film；

(7)计算获得软磁薄膜的高频磁导率μ^film。

2.如权利要求1所述的测量软磁薄膜高频磁导率的方法，其特征是：步骤(1)中，所述两片基片的材质和尺寸均相同。

3.如权利要求1所述的测量软磁薄膜高频磁导率的方法，其特征是：步骤(1)中，所述两片基片是通过微纳加工工艺切割的。

4.如权利要求1所述的测量软磁薄膜高频磁导率的方法，其特征是：步骤(2)中，所述软磁薄膜的厚度通过轮廓仪和扫描电镜两者测试综合获得。

5.如权利要求1所述的测量软磁薄膜高频磁导率的方法，其特征是：步骤(3)中，所述谐振腔为镀金铍铜导体。

6.如权利要求1所述的测量软磁薄膜高频磁导率的方法，其特征是：步骤(4)中，所述空的谐振腔的等效介电常数ε^empty的计算公式为：

式(Ⅰ)中c₀为真空中的光速，j为虚部符号，l_empty为谐振腔空余部分的长度，l_sample为谐振腔中测试样品的长度，f为测量频率。

7.如权利要求1所述的测量软磁薄膜高频磁导率的方法，其特征是：步骤(5)中，所述等效介电常数ε^substrate的计算公式为：

式(Ⅱ)中c₀为式真空中的光速，j为虚部符号，l_empty为谐振腔空余部分的长度，l_sample为谐振腔中测试样品的长度，f为测量频率。

8.如权利要求1所述的测量软磁薄膜高频磁导率的方法，其特征是：步骤(7)中，所述高频磁导率μ^film的计算公式为：

式(III)中c₀为式真空中的光速，j为虚部符号，l_empty为谐振腔空余部分的长度，l_sample为谐振腔中测试样品的长度，f为测量频率，d为软磁薄膜厚度，A为标度系数。