[发明专利]一种气体回用控制方法及气体回用控制设备在审
申请号: | 201910176716.X | 申请日: | 2019-03-08 |
公开(公告)号: | CN109930201A | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 贾祯;金雪;冉瑞应;杨东 | 申请(专利权)人: | 银川隆基硅材料有限公司 |
主分类号: | C30B29/06 | 分类号: | C30B29/06;C30B27/02 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 750000 宁夏回族自治区银*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 回用 单晶硅生产设备 控制设备 预设条件 单晶硅 入气口 检测 净化 生产 | ||
1.一种气体回用控制方法,其特征在于,包括:
净化单晶硅生产设备产生的气体,得到第一回用气体;
检测所述第一回用气体的第一纯度;
在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下,将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备;
在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度;
在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下,将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述检测所述第一回用气体的第一纯度的步骤之后,还包括:
在所述第一纯度未满足所述第一预设条件的情况下,控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述控制所述纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气的步骤之后,还包括:
将所述第一回用气体进行再次净化;
执行所述检测所述第一回用气体的第一纯度的步骤。
4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度的步骤之后,还包括:
在所述第二纯度未满足所述第二预设条件的情况下,停止将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备,且控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述停止将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备,且控制所述纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气的步骤之后,还包括:
执行报警操作。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一预设条件为:所述第一纯度大于第一预设值。
7.根据权利要求所述的方法,其特征在于,所述第二预设条件为:所述第二纯度与所述第一纯度之间的差值小于第二预设值。
8.一种气体回用控制设备,其特征在于,所述设备包括:接口,总线,存储器,与处理器,所述接口、存储器与处理器通过所述总线相连接,所述存储器用于存储可执行程序,所述处理器被配置为运行所述可执行程序实现如下步骤:
净化单晶硅生产设备产生的气体,得到第一回用气体;
检测所述第一回用气体的第一纯度;
在所述第一纯度满足第一预设条件的情况下,将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备;
在所述单晶硅生产设备的入气口处检测所述第一回用气体的第二纯度;
在所述第二纯度满足第二预设条件的情况下,将所述第一回用气体通入所述单晶硅生产设备。
9.根据权利要求8所述的设备,其特征在于,所述处理器被配置为运行所述可执行程序还实现如下步骤:
在所述第一纯度未满足所述第一预设条件的情况下,控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。
10.根据权利要求8所述的设备,其特征在于,所述处理器被配置为运行所述可执行程序还实现如下步骤:
在所述第二纯度未满足所述第二预设条件的情况下,停止将所述第一回用气体通向所述单晶硅生产设备,且控制与所述单晶硅生产设备连接的纯净气体储存罐向所述单晶硅生产设备供气。
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