[发明专利]测定器和求出测定器的偏离量的方法在审
申请号: | 201910176749.4 | 申请日: | 2019-03-08 |
公开(公告)号: | CN110246796A | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 杉田吉平;河野太辅 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/677 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器电极 测定器 开关机构 电连接 偏离量 电极 高频振荡器 电压信号 电压振幅 基底基板 静电电容 转换 表现 | ||
1.一种测定器,具备:
圆盘状的基底基板;
多个传感器电极,所述多个传感器电极沿所述基底基板的周缘在周向上排列;
高频振荡器,其被设置为向所述多个传感器电极提供高频信号;
多个C/V转换电路,各所述C/V转换电路分别将所述多个传感器电极中的对应的传感器电极的电压振幅转换为表现静电电容的电压信号;
A/D转换器,其将从所述多个C/V转换电路的各所述C/V转换电路输出的所述电压信号转换为数字值;以及
开关机构,其能够在第一状态与第二状态之间进行切换,其中,所述第一状态是所述多个传感器电极分别电连接于所述多个C/V转换电路的状态,所述第二状态是包括所述多个传感器电极中的在所述周向上相邻的两个所述传感器电极的多个电极对分别电连接于所述多个C/V转换电路中的不同的C/V转换电路的状态。
2.根据权利要求1所述的测定器,其特征在于,
能够变更所述多个电极对各自包括的相邻的两个所述传感器电极的组合。
3.一种求出测定器的偏离量的方法,用于求出由搬送装置搬送的根据权利要求1所述的测定器的偏离量,
该搬送装置是基于搬送位置数据来将被加工物搬送到被聚焦环包围的区域内的装置,
该偏离量是配置在该区域内的所述测定器的中心位置相对于所述区域的中心位置的偏离量,
所述方法包括以下步骤:
使用所述搬送装置将所述测定器搬送到根据所述搬送位置数据确定的所述区域内的位置;
计算多个数字值来作为多个第一测定值,所述多个数字值包括基于在所述第一状态下从所述多个C/V转换电路的各C/V转换电路输出的所述电压信号形成的所述数字值;
使用校正后的搬送位置数据来调整所述测定器的位置,其中,所述校正后的搬送位置数据是通过使用根据所述多个第一测定值求出的所述测定器的中心位置相对于所述区域的中心位置的偏离量对所述搬送位置数据进行校正得到的;以及
在调整所述测定器的位置之后,根据多个第二测定值导出所述测定器的中心位置相对于所述区域的中心位置的偏离量,其中,所述多个第二测定值是包括基于在所述第二状态下从所述不同的C/V转换电路的各C/V转换电路输出的所述电压信号形成的所述数字值的多个数字值。
4.根据权利要求3所述的求出测定器的偏离量的方法,其特征在于,
在所述测定器中,能够变更所述多个电极对各自包括的相邻的两个所述传感器电极的组合。
5.根据权利要求4所述的求出测定器的偏离量的方法,其特征在于,
在调整所述测定器的位置的所述步骤与根据所述多个第二测定值导出所述偏离量的所述步骤之间还包括以下步骤:计算多个数字值来作为多个第三测定值,所述多个数字值包括基于在所述第一状态下从所述多个C/V转换电路的各C/V转换电路输出的所述电压信号形成的所述数字值,
在根据所述多个第二测定值导出所述偏离量的所述步骤中,所述多个电极对中的某一个电极对包括以隔着将基于所述多个第三测定值得到的配置在所述区域内的所述测定器的中心位置与所述区域的中心位置连结的直线的延长线的方式相邻的两个所述传感器电极。
6.根据权利要求3~5中的任一项所述的求出测定器的偏离量的方法,其特征在于,
还包括使用校正后的搬送位置数据来再次调整所述测定器的位置的步骤,其中,所述校正后的搬送位置数据是使用根据所述多个第二测定值导出的所述偏离量进行校正后的搬送位置数据。
7.根据权利要求3~6中的任一项所述的求出测定器的偏离量的方法,其特征在于,
在再次调整所述测定器的位置之后还包括以下步骤:将多个数字值作为多个第四测定值,根据所述多个第四测定值导出所述测定器的中心位置相对于所述区域的中心位置的偏离量,其中,所述多个数字值包括基于在所述第二状态下从所述不同的C/V转换电路的各C/V转换电路输出的所述电压信号形成的所述数字值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造