[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201910176812.4 | 申请日: | 2019-03-08 |
公开(公告)号: | CN110277333B | 公开(公告)日: | 2023-06-16 |
发明(设计)人: | 中根慎悟 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;唐峥 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
本发明涉及基板处理装置及基板处理方法。本发明目的在于有效地防止气体从腔室向外部的流出及外部气体从外部向腔室内的流入。本发明的基板处理装置具备:在上表面载置形成有涂覆膜的基板的保持部;对载置于保持部的基板进行加热的加热部;在载置于保持部的基板的上方形成供气体流通的流通空间的腔室;经由在流通空间的一个端部侧开口的给气口而向流通空间供给加热后的气体的给气部;经由隔着流通空间而与给气口相反一侧的、在流通空间的另一端部侧开口的排气口,将气体从流通空间排出的排气部;对流通空间内的气压与腔室的外部气体的气压的压差进行检测的检测部;和基于该检测结果对给气量及排气量中的至少一者进行控制以使得压差减小的控制部。
技术领域
本发明涉及对基板进行加热处理的基板处理装置及方法。特别地,涉及通过加热而使形成于基板表面上的涂覆膜的成分挥发的基板处理技术。
背景技术
在例如半导体基板、显示装置用玻璃基板、光掩模用玻璃基板、光盘用基板等各种基板的处理工序中,广泛应用了在向基板涂布涂覆液之后使涂覆液中所含的成分挥发这样的处理。为了促进挥发,有时将基板加热。在以这样的加热处理为目的的基板处理装置中,通常在腔室内进行处理。这是为了在抑制热的释放从而提高能量效率的同时,防止因加热而挥发的涂覆液的成分向周围飞散。这种情况下,有时因加热而挥发的涂覆液的成分在腔室内被冷却而析出,并附着于腔室内壁面。这样的附着物会掉落至基板上从而成为污染源。
为了应对上述问题,在例如专利文献1、2中记载的基板处理装置中,沿着腔室的顶面而设置有用于形成由升温后的气体所形成的气流的机构。即,在腔室的侧部设置将加热气体排出的给气口,并且从设置于隔着基板而与给气口相反一侧的排气口将加热气体进行排气。由此,挥发的涂覆液的成分被排出至外部而不会在腔室内析出。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2008-251670号公报
专利文献2:日本特开2008-251863号公报
发明内容
发明要解决的课题
上述的专利文献1、2中,并未明确加热气体向腔室的给气量及从腔室的排气量、以及对它们的控制。但是,从形成稳定的气流的目的出发,认为其前提为使给气量与排气量相等。然而,存在多种使给气量与排气量的平衡丧失的因素。例如,挥发的涂覆液的成分在排气路径内析出而使排气路径的截面积缩小,由此导致排气量降低,结果,会产生给气量超过排气量这样的现象。
不限于上述例子,若因某种因素而导致给气量变得大于排气量,则腔室的内压上升,发生气体从腔室向外部的泄漏。在泄漏的气体中,还包含从涂覆液挥发的成分。因此,产生下述这样的问题:如上所述的成分被周围气氛冷却而在腔室的周围析出,并附着于周围的零件、相对于腔室而被搬入·搬出的基板。另外,相反地,若排气量变得大于给气量,则会产生向腔室内流入成为温度降低的原因的常温外部气体、污染物质等这样的问题。鉴于上述情况,在上述现有技术中,需要始终维持给气量与排气量的平衡。然而,在专利文献1、2中,特别是对于这点没有加以考虑。
用于解决课题的手段
本发明是鉴于上述课题而作出的,其目的在于提供下述技术,该技术使得在具有向腔室内导入加热后的气体并将其排出的机构的基板处理装置中,能够有效地防止气体从腔室向外部的流出及外部气体从外部向腔室内的流入。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造