[发明专利]一种半导体芯片的封装方法及其封装过程中的两种结构在审

专利信息
申请号: 201910176965.9 申请日: 2019-03-08
公开(公告)号: CN111668109A 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 周辉星 申请(专利权)人: 矽磐微电子(重庆)有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L21/683;H01L23/31;H01L25/16
代理公司: 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 代理人: 林祥
地址: 401331 重*** 国省代码: 重庆;50
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体 芯片 封装 方法 及其 过程 中的 结构
【权利要求书】:

1.一种半导体芯片的封装方法,包括:

在已制作好半导体芯片的晶圆正面形成第一预设厚度的保护层;

将形成有保护层的晶圆进行半导体芯片划分;

将划分好的半导体芯片具有保护层的一面贴装在一第一载板上;

在所述第一载板上以及所述第一载板上半导体芯片的背面形成第一包封层;

去除所述第一载板,露出半导体芯片的正面上的保护层;

去除第二预设厚度的半导体芯片的保护层,形成目标厚度的半导体芯片保护层。

2.如权利要求1所述的半导体芯片的封装方法,其特征在于,还包括:在所述保护层上形成开孔,以使半导体芯片正面的焊垫通过所述开孔引出。

3.如权利要求2所述的半导体芯片的封装方法,其特征在于,还包括:对晶圆的背面进行研磨减薄的步骤。

4.如权利要求3所述的半导体芯片的封装方法,其特征在于,形成所述第一预设厚度的保护层步骤在所述晶圆背面研磨减薄步骤之前。

5.如权利要求2所述的半导体芯片的封装方法,其特征在于,所述保护层上形成开孔为在所述第一预设厚度的保护层上形成开孔。

6.如权利要求2所述的半导体芯片的封装方法,其特征在于,所述保护层上形成开孔为在所述目标厚度的保护层上形成开孔。

7.如权利要求1~6任一所述的半导体芯片的封装方法,其特征在于,还包括:在所述第一载板的表面形成粘附层,以使所述半导体芯片具有保护层的一面贴装于所述粘附层。

8.如权利要求7所述的半导体芯片的封装方法,其特征在于,所述半导体芯片的正面具有一第一对位标记,所述第一载板上具有一第二对位标记,以便将所述半导体芯片贴装在所述第一载板上的预设位置。

9.如权利要求8所述的半导体芯片的封装方法,其特征在于,所述半导体芯片的正面的所述第一对位标记位置对应的所述保护层设有孔洞,以露出所述第一对位标记。

10.如权利要求8所述的半导体芯片的封装方法,其特征在于,所述保护层在将所述半导体芯片的正面以所述第一对位标记与所述第一载板上的第二对位标记进行对准贴装时呈现透明。

11.如权利要求1所述的半导体芯片的封装方法,其特征在于,还包括提供一支撑板,在去除所述第一载板露出具有半导体芯片上的保护层之前将所述支撑板贴装于所述第一包封层表面。

12.如权利要求11所述的半导体芯片的封装方法,其特征在于,采用研磨方法去除第二预设厚度的半导体芯片的保护层。

13.如权利要求12所述的半导体芯片的封装方法,其特征在于,所述第二预设厚度约为10um。

14.如权利要求1所述的半导体芯片的封装方法,其特征在于,还包括在形成所述第一包封层之前,至少在贴装好所述半导体芯片后露出的第一载板表面形成密封层。

15.一种半导体芯片的封装过程中的两种结构,包括:

第一结构,所述第一结构包括:

第一载板,若干置于所述第一载板上的半导体芯片和覆盖在所述第一载板和所述半导体芯片背面的第一包封层;所述第一载板和所述半导体正面之间具有一第一预设厚度的保护层;

第二结构,所述第二结构包括:

若干半导体芯片,第一支撑板和包裹着若干半导体芯片背面的第一包封层;所述第一包封层远离半导体芯片正面的表面与所述第一支撑板贴合,所述第一包封层的另一表面曝露出所述半导体芯片的正面;所述半导体芯片正面具有目标厚度的保护层;

所述目标厚度的保护层小于所述第一预设厚度的保护层。

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