[发明专利]基板制造方法

说明书

本发明提供可以容易获得薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。解决课题的手段为一种基板制造方法：进行第1工序，在氧化镁单晶基板(20)的被照射面上非接触地配置将激光进行聚光的激光聚光设备；然后，进行第2工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而并列地形成加工痕迹列；进一步，进行第3工序，在规定照射条件下对单晶基板表面照射激光、将激光聚光于单晶基板内部，同时使激光聚光设备与单晶基板(20)二维状地相对移动，从而在第2工序中照射时的相邻的照射线(L1)之间新形成加工痕迹列，由此产生面状剥离。

技术领域

本发明涉及对于制造薄的氧化镁单晶基板而言合适的基板制造方法。

背景技术

在半导体领域、显示器领域、能源领域等中，使用了氧化镁单晶基板。为了制造该氧化镁单晶基板，除了使其结晶生长为块状并且切断成基板状以外，还已知使其以薄膜状进行外延生长(例如，参照专利文献1)。

另一方面，认为金刚石是适用于高频、高输出电子器件的半导体，作为其合成方法之一的气相合成法中，利用氧化镁基板、硅基板作为基础基板(例如专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2001-080996号公报

专利文献2：日本特开2015-59069号公报

发明内容

发明所要解决的课题

近年来，伴随着半导体装置的高性能化，晶格缺陷少而薄型的氧化镁单晶基板正变得越发必要。

在上述金刚石基板的制造中，作为基础基板的氧化镁基板(MgO基板)价格高，例如在气相合成单晶金刚石之后，残留必要的厚度作为基础基板，同时将氧化镁基板剥离并分离，从而能够将氧化镁基板作为基础基板进行再利用。具体而言，如果从例如厚度200μm的氧化镁的基础基板获得厚度180μm的氧化镁基板并进行再利用，则在金刚石基板制造工艺中可以实现大幅的成本降低，可以期待对于金刚石基板的成本降低作出大的贡献。

鉴于上述课题，本发明的课题在于提供可以容易获得薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。

用于解决课题的手段

然而，虽然提出了各种获得单晶硅基板的制造方法的方案，但本发明人深入研究，结果发现了在本发明中将氧化镁基板作为对象的基于与单晶硅不同的新的加工原理的制造方法。

根据用于解决上述课题的本发明的一个方式，提供了一种基板制造方法，其特征在于，具备下述工序：第1工序，在氧化镁的单晶构件的被照射面上非接触地配置将激光进行聚光的激光聚光设备；第2工序，使用上述激光聚光设备，在规定的照射条件下对上述单晶构件表面照射激光、将激光聚光于上述单晶构件内部，同时使上述激光聚光设备和上述单晶构件二维状地相对移动，从而并列地形成加工痕迹列；第3工序，使用上述激光聚光设备，在规定的照射条件下对上述单晶构件表面照射激光、将激光聚光于上述单晶构件内部，同时使上述激光聚光设备和上述单晶构件二维状地相对移动，从而在通过上述第2工序的照射而形成的相邻的上述加工痕迹列之间新形成加工痕迹列，由此产生面状剥离。

发明的效果

根据本发明，可以提供能够容易获得薄的氧化镁单晶基板的基板制造方法。

附图说明

图1的(a)是本发明的一实施方式所使用的剥离基板制造装置的示意性立体图，(b)是本发明的一实施方式所使用的剥离基板制造装置的部分放大侧视图。

图2(a)是说明本发明的一实施方式中激光照射顺序的示意性平面图，图2(b)是说明本发明的一实施方式中激光照射后的氧化镁单晶基板的示意性部分侧视截面图。