[发明专利]一种氧空位富集氮掺杂氧化锡及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201910177869.6 | 申请日： | 2019-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN110052281B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 巩金龙;胡聪玲;张雷;李璐璐;赵志坚 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | B01J27/24 | 分类号： | B01J27/24;C25B3/26;C25B3/07;C25B11/091 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人： | 琪琛 |
| 地址： | 300350 天津市津南区海*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 空位 富集 掺杂 氧化 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种氧空位富集氮掺杂氧化锡，其特征在于，由以下制备方法得到：
(1)将双氰胺在500-550℃温度条件下焙烧4-5小时，反应结束后自然冷却至室温，得到块状C3N4；
(2)将所得块状C3N4研磨至粉末状，取C3N4粉末在450-500℃温度条件下焙烧2-3小时，反应结束后自然冷却至室温，得到g-C3N4纳米片；
(3)将所得g-C3N4纳米片与SnCl2·2H2O按照1:1的质量比研磨混合，在500-600℃温度条件下焙烧3-5小时，反应结束后自然冷却至室温；
(4)将步骤(3)所得产物收集研磨得到Ov-N-SnO2纳米颗粒。
2.根据权利要求1所述的一种氧空位富集氮掺杂氧化锡，其特征在于，步骤(1)中的焙烧温度为550℃，时间为4小时。
3.根据权利要求1所述的一种氧空位富集氮掺杂氧化锡，其特征在于，步骤(2)中的焙烧温度为500℃，时间为2小时。
4.根据权利要求1所述的一种氧空位富集氮掺杂氧化锡，其特征在于，步骤(2)中的焙烧温度为500℃，时间为2小时。
5.一种如权利要求1-4中任一项所述的氧空位富集氮掺杂氧化锡的制备方法，其特征在于，该方法按照以下步骤进行：
(1)将双氰胺粉末在500-550℃温度条件下焙烧4-5小时，反应结束后自然冷却至室温，得到块状C3N4；
(2)将所得块状C3N4研磨至细小粉末，取C3N4粉末在450-500℃温度条件下焙烧2-3小时，反应结束后自然冷却至室温，得到g-C3N4纳米片；
(3)将所得g-C3N4纳米片与SnCl2·2H2O按照1:1的质量比研磨混合，在500-600℃温度条件下焙烧3-5小时，反应结束后自然冷却至室温；
(4)将步骤(3)所得产物收集研磨得到Ov-N-SnO2纳米颗粒。
6.一种如权利要求1-4中任一项所述的氧空位富集氮掺杂氧化锡在电催化二氧化碳还原制甲酸中的应用。
7.根据权利要求6所述的氧空位富集氮掺杂氧化锡在电催化二氧化碳还原制甲酸中的应用，其特征在于，将所述氧空位富集氮掺杂氧化锡滴涂至玻碳电极作为工作电极，饱和甘汞电极为参比电极，Pt片为对电极，组装成电化学池，通电进行电催化反应。
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