[发明专利]一种台阶结构及其制造方法

权利要求书

1.一种台阶结构的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底的第一表面上形成第一牺牲层；

图形化所述第一牺牲层以形成贯穿所述第一牺牲层的第一开口，所述第一开口暴露所述第一表面的部分区域；

形成保护层，所述保护层至少覆盖所述第一牺牲层的至少一个连通结构和所述第一表面暴露的部分区域；

在所述保护层上形成第二牺牲层；

图形化所述第二牺牲层以形成贯穿所述第二牺牲层的第二开口，所述第二开口的至少部分边界在所述第一表面的正投影位于所述第一开口的区域内；以及

分别以所述第一牺牲层和所述第二牺牲层为掩膜对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底中形成台阶式开口。

2.根据权利要求1所述的台阶结构的制造方法，其特征在于，所述分别以所述第一牺牲层和所述第二牺牲层为掩膜对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底中形成台阶式开口包括：

以所述第二牺牲层为掩膜对所述衬底进行刻蚀，在所述衬底中形成第一深槽；

去除所述第二牺牲层；

以所述保护层和所述第一牺牲层为掩膜对所述衬底进行刻蚀，并在刻蚀的同时去除所述保护层，在所述衬底中形成预定深度的第二深槽，同时将所述第一深槽向下延伸至所述预定深度，所述第一深槽和所述第二深槽构成所述台阶式开口；以及

在形成所述台阶式开口之后去除所述第一牺牲层。

3.根据权利要求2所述的台阶结构的制造方法，其特征在于，所述衬底还包括与所述第一表面相背且包括结构图形的第二表面，所述制造方法还包括：

在形成所述台阶式开口前在所述衬底的第二表面形成第三牺牲层；所述第一深槽和所述第二深槽贯穿所述衬底，暴露所述第三牺牲层的表面；以及

在形成所述台阶式开口之后去除所述第三牺牲层。

4.根据权利要求3所述的台阶结构的制造方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺或者氢氟酸蒸汽刻蚀去除所述牺牲层。

5.根据权利要求1所述的台阶结构的制造方法，其特征在于，图形化所述第二牺牲层以形成贯穿所述第二牺牲层的第二开口还包括：

所述第二开口同时贯穿所述第二牺牲层以及所述保护层，暴露所述衬底的部分表面。

6.根据权利要求1所述的台阶结构的制造方法，其特征在于，所述第一牺牲层的厚度大于1微米，所述制造方法还包括：

在形成所述第二牺牲层之后，进行化学机械平面化处理，以获得平整的结构表面。

7.根据权利要求1所述的台阶结构的制造方法，其特征在于，根据所述台阶式开口的最小结构厚度以及刻蚀选择比得到所述第二牺牲层的厚度。

8.根据权利要求1所述的台阶结构的制造方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺形成所述台阶式开口。

9.根据权利要求1所述的台阶结构的制造方法，其特征在于，所述第一牺牲层和所述第二牺牲层为二氧化硅，所述保护层为氮化硅。

10.一种台阶结构，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的制造方法形成。