[发明专利]电阻式存储器电路

说明书

本发明提供了一种电阻式存储器电路，包括第一电阻式存储器单元、第二电阻式存储器单元、第一晶体管以及第二晶体管。第一电阻式存储器单元耦接于第一位线以及第一节点之间。第二电阻式存储器单元耦接于第二位线以及第一节点之间。第一晶体管包括第一栅极端、第一漏极端以及第一源极端，第一栅极端耦接至第一字元线，第一漏极端耦接至第一节点，第一源极端耦接至第一源极线。第二晶体管包括第二栅极端、第二漏极端以及第二源极端，第二栅极端耦接至第一字元线，第二漏极端耦接至第一节点，第二源极端耦接至第二源极线。

技术领域

本发明涉及一种电阻式存储器电路，尤其涉及一种共用晶体管以增加低阻态的电流的电阻式存储器电路。

背景技术

对现行的电阻式存储器进行重置程序时，包括对电阻式存储器施加与设定时极性相反的反向偏压，使电流从下电极流至上电极。此时，邻近上电极处的氧空缺与部分氧离子结合而中断电流路径，使得灯丝在邻近上电极处断开。当对现行的电阻式存储器进行设定程序时，包括可对电阻式存储器施加与灯丝成形的程序时极性相同的偏压，使电流从上电极流至下电极。此时，邻近上电极处的氧离子脱离，重新形成氧空缺，使得灯丝在邻近上电极处重新形成。

发明内容

根据本发明的一实施例，上述第一漏极端以及上述第二漏极端分别通过第一接触点以及第二接触点耦接至位于第一金属层的上述第一节点，其中上述第一节点通过第十一导孔耦接至上述第一电阻式存储器单元，上述第一电阻式存储器单元通过第十二导孔耦接至位于第二金属层的上述第一位线，其中上述第一节点通过第二十一导孔耦接至上述第二电阻式存储器单元，上述第二电阻式存储器单元通过第二十二导孔耦接至位于上述第二金属层的上述第二位线。

根据本发明的一实施例，上述第一栅极端以及上述第二栅极端通过第三接触点耦接至位于上述第一金属层的上述第一字元线，其中上述第一源极端通过第四接触点耦接至位于上述第一金属层的上述第一源极线，上述第二源极端通过第五接触点耦接至位于上述第一金属层的上述第二源极线。

根据本发明的另一实施例，电阻式存储器电路更包括：第三电阻式存储器单元、第四电阻式存储器单元、第三晶体管以及第四晶体管。上述第三电阻式存储器单元耦接于第三位线以及第二节点之间。上述第四电阻式存储器单元耦接于第四位线以及上述第二节点之间。上述第三晶体管包括第三栅极端、第三漏极端以及第三源极端，其中上述第三栅极端耦接至第二字元线，上述第三漏极端耦接至上述第二节点，上述第三源极端耦接至第三源极线。上述第四晶体管包括第四栅极端、第四漏极端以及第四源极端，其中上述第四栅极端耦接至上述第二字元线，上述第二漏极端耦接至上述第二节点，上述第四源极端耦接至第四源极线。

根据本发明的另一实施例，上述第二字元线耦接至上述第一字元线，上述第一源极线以及上述第三源极线皆位于第一金属层且通过第一导孔耦接至第二金属层，上述第二源极线以及上述第四源极线位于上述第二金属层，上述第一位线、上述第二位线、上述第三位线以及上述第四位线位于第三金属层，其中上述第二源极线与上述第三源极线相互重迭。

根据本发明的一实施例，当上述第一电阻式存储器单元及/或上述第二电阻式存储器单元进行初始化程序时，依序执行形成程序、初始重设程序、设定程序以及重置程序。

根据本发明的一实施例，当上述第一电阻式存储器单元或上述第二电阻式存储器单元执行上述形成程序时，上述第一位线耦接至第一电压，上述第一字元线耦接至第二电压，上述第二位线、上述第一源极线以及上述第二源极线耦接至接地端，其中上述第一电压超过上述第二电压。

根据本发明的一实施例，当上述第一电阻式存储器单元执行上述初始重设程序以及上述重置程序时，上述第一字元线耦接至第三电压，上述第二位线、上述第一源极线以及上述第二源极线耦接至第四电压，上述第一位线耦接至上述接地端，其中上述第三电压超过上述第四电压。