[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

形成外延结构于所述衬底上；其中，所述外延结构依次包括第二半导体层，发光层，第一半导体层；

形成金属层于所述外延结构上；

移除部分所述外延结构，形成至少一个凹槽，所述凹槽暴露部分所述第二半导体层；

形成第一金属电极于所述金属层上，以及形成第二金属电极于暴露出的部分所述第二半导体层上，所述第一金属电极和所述第二金属电极的高度相等；

移除部分所述第一金属电极以及所述外延结构，形成多个纳米柱，所述纳米柱呈圆柱形、圆台形或手电筒形；

其中，形成所述纳米柱的步骤包括：

提供一纳米压印模板；

形成一层掩膜材料与所述外延结构的表面上；

形成一层压印胶于所述掩膜材料上；

通过纳米压印的方式将所述纳米压印模板上的图形转移到所述压印胶上，以得到周期性的掩膜结构；

利用所述周期性掩膜结构，图案化所述掩膜材料，以得到图案化后的所述掩膜材料；

利用图案化后的所述掩膜材料，图案化所述第一金属电极以及所述外延结构，以获得所述纳米柱；

所述纳米柱依次包括所述第一金属电极，金属层，第一半导体层，发光层以及部分第二半导体层；

在所述外延结构的表面上形成光敏性材料，对所述光敏材料进行图案化步骤及热固化处理，以形成绝缘层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述凹槽的步骤包括：

形成图案化光阻层于所述金属层上；

移除部分所述金属层及外延结构，以形成所述凹槽。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述第一金属电极以及第二金属电极的步骤包括：

形成图案化的光阻层于所述金属层上，所述光阻层覆盖所述凹槽；

通过沉积的方式在所述金属层上形成所述第一金属电极；以及

形成另一图案化光阻层于所述第一金属电极上，暴露所述凹槽内的第二半导体层；

通过沉积的方式在所述第二半导体层上形成所述第二金属电极。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一半导体层包括P型半导体层，所述第二半导体层包括N型半导体层。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述第一金属电极包括P型金属电极，所述第二金属电极包括N型金属电极。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于：所述纳米柱侧壁通过腐蚀或退火去除刻蚀损伤。

7.根据权利要求1-6任一项制造的一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：

衬底；

外延结构，位于所述衬底上，依次包括第一半导体层，发光层，第二半导体层；

金属层，位于所述外延结构的第一半导体层上；

多个凹槽，位于所述衬底上，暴露部分所述第二半导体层；

第一金属电极，位于所述金属层上；以及

第二金属电极，位于所述凹槽内的第二半导体层上；

多个纳米柱，位于所述衬底上，依次包括所述第一金属电极，金属层，第一半导体层，发光层以及部分所述第二半导体层。