[发明专利]一种含砷废水处理方法

说明书

本发明提供了一种含砷废水处理方法，其除砷效果好，能够满足日益严格的砷排放标准。其包括以下步骤：一、废水收集后通过添加酸、碱药剂调节pH，通过投加氧化剂，将三价砷氧化为五价砷；二、将步骤一处理得到的混合液通过添加铁盐混凝剂混凝反应并调节pH；三、将步骤二处理得到的混合液通入浓缩池，浓缩池中添加有除砷药剂，并通过管式微滤膜系统去除不溶性颗粒物；四、向步骤三处理得到的混合液中加入铁盐，通过催化除砷塔进一步降低砷浓度；五、向步骤四处理得到的混合液中加入还原剂使氧化还原电位ORP＜300mV，并调节pH为5~6后，通过除砷树脂或者除砷滤料进行深度除砷后排出。

技术领域

本发明涉及废水处理技术领域，具体为一种含砷废水处理方法。

背景技术

半导体行业的含砷废水通常来源于两个部分，一部分来源于芯片生产过程，如清洗、剥离、刻蚀、研磨抛光及芯片切割等工序；另一部分源自砷化镓外延废气处理产生的含砷、含磷废水。砷作为一类污染物，其排放受到严格的控制，在《污水综合排放标准》（GB8978-1996）表1中要求砷＜0.5mg/L。《电子工业污染物排放标准》（二次征求意见稿）表2中要求砷＜0.1mg/L；上海市《半导体行业污染物排放标准》（DB31-2006）表1中A类标准为砷＜0.05mg/L；特别排放标准为砷＜0.05mg/L。然而，部分环境容量较小或砷的排放受到总量控制，排放砷浓度甚至要求＜2μg/L。工业上常用的除砷方法有化学沉淀，除砷树脂或吸附剂吸附，反渗透和蒸发浓缩工艺等。

实际工程案例中常采用化学沉淀法处理含砷废水，此法工艺成熟，操作简便，能使出水砷浓度＜0.5mg/L。如中国专利CN103408162A中公开了一种含砷废水处理方法，其采用投加铁、两级化学沉淀过滤的工艺，对不同浓度的含砷废水均有较好的处理效果。但是此法依赖于过量投加化学试剂，因此易造成污泥量大，出水溶解性固体较高的问题。该工艺仅能将含砷废水处理至＜0.5mg/L，无法满足日益严格的排放标准。

在高排放要求的案例中，往往会采用混凝结合树脂的去除工艺，如中国专利CN106517577A中公开了一种酸性含砷废水处理工艺，其采用两级混凝沉淀结合树脂吸附的工艺，针对不同进水浓度，出水能够到达砷＜0.05mg/L。但是该工艺采用两级混凝沉淀，设施占地面积大；同时，由于混凝后出水砷相对较高，也无法满足日益严格的排放标准。

日趋严格的水质管理标准对含砷废水的处理工艺提出了更高的要求，亟需寻求低廉、高效稳定，且适用高排放标准的含砷废水的处理方法。

发明内容

针对目前含砷废水的高排放标准问题，本发明提供了一种含砷废水处理方法，其除砷效果好，能够满足日益严格的砷排放标准。

其技术方案是这样的：一种含砷废水处理方法，其包括以下步骤：

一种含砷废水处理方法，其包括以下步骤：

一、废水收集后通过添加酸、碱药剂调节pH，通过投加氧化剂，将三价砷氧化为五价砷；

二、将步骤一处理得到的混合液通过添加铁盐混凝剂混凝反应并调节pH；

其特征在于：其还包括以下步骤：

三、将步骤二处理得到的混合液通入浓缩池，浓缩池中添加有除砷药剂，并通过管式微滤膜系统去除不溶性颗粒物；

四、向步骤三处理得到的混合液中加入铁盐，通过催化除砷塔进一步降低砷浓度；

五、向步骤四处理得到的混合液中加入还原剂使氧化还原电位小于300mV，并调节pH后，通过除砷树脂或者除砷滤料进行深度除砷后排出。

其进一步特征在于：

步骤一中，调节pH为6~9，投加氧化剂，控制ORP＞400mV；

步骤二中，铁盐混凝剂含三价铁，使溶液中的铁砷摩尔比为2:1~10：1；