[发明专利]一种米级大单晶高指数面铜箔的制备方法

权利要求书

1.一种米级大单晶高指数面铜箔的制备方法，其特征在于，对多晶铜箔预先进行氧化保护，再进行退火，利用高温驱动氧化保护高指数面成核位点长大获得米级大单晶高指数面铜箔；

所述方法包括如下步骤：

(一)将未进行任何表面处理的工业级商业多晶铜箔放置于耐高温衬底上或耐高温衬底夹层中，放入加热台、退火炉或化学气相沉积设备中，在空气气氛下，开始升温、升温至80℃～450℃，保持1分钟～24小时，然后降温至室温，获得预先氧化保护的多晶铜箔；

(二)将所述预先氧化保护的多晶铜箔放置于耐高温衬底上或耐高温衬底夹层中，放入化学气相沉积设备中，通入惰性气体和H₂气体，惰性气体流量为200～2000sccm，H₂流量为20～500sccm，然后开始升温，所述的惰性气体为N₂或Ar；

(三)温度升至800～1100℃时，保持所通入气体流量成分不变，进行退火过程，退火持续时间10分钟～24小时；

(四)退火结束后，保持所通入气体流量成分不变，自然冷却至室温，即得到单晶高指数面铜箔；

其中，所述米级大单晶高指数面铜箔包括Cu(112)、Cu(113)、Cu(122)、Cu(123)、Cu(133)、Cu(223)、Cu(233)或Cu(355)单晶铜箔。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤一、二、三和四均在常压条件下进行。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述耐高温衬底夹层中放置1片以上多晶铜箔从而同时制备1片以上米级大单晶高指数面铜箔。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述单晶铜箔的长度为0.005m～500m，宽度为0.005m～5m。