[发明专利]用于在半导体器件制造期间从硅-锗/锗叠层选择性除去硅-锗合金的蚀刻溶液

权利要求书

1.一种适用于从微电子器件相对于锗选择性地除去硅-锗合金的蚀刻溶液，所述蚀刻溶液包含：

水；

0.001重量%至40重量%的氧化剂；

7重量%至65重量%的水混溶性有机溶剂；

0.01重量%至8重量%的氟离子源；

0.1重量%至10重量%的腐蚀抑制剂；

任选地，表面活性剂

缓冲剂；和

任选地，螯合剂，

其中所述氧化剂是醌，

其中所述水混溶性有机溶剂选自三丙二醇甲醚、丙二醇丙醚、二乙二醇正丁醚、己氧基丙胺、聚(氧乙烯)二胺、醇类、砜、亚砜类、二甲基乙酰胺、吡咯烷酮类、含硫溶剂或其混合物，

其中所述氟离子源选自氢氟酸、氟化铵、氟化氢铵、季铵氟化物、氟硼酸盐、氟硼酸、四氟硼酸四丁基铵、六氟化铝，和具有下式的脂族伯、仲或叔胺的氟化物盐：

R¹NR²R³R⁴F，

其中R¹、R²、R³和R⁴各自代表H或C₁-C₄烷基；

其中所述腐蚀抑制剂选自喹啉、喹啉衍生物、鲸蜡基三甲基溴化铵、11-巯基十一烷酸和N-甲基正辛胺。

2.根据权利要求1所述的蚀刻溶液，其中所述醇类选自乙二醇、丙二醇、丁基二甘醇、1,4-丁二醇或其混合物。

3.根据权利要求1所述的蚀刻溶液，其中所述亚砜类是二甲基亚砜。

4.根据权利要求1所述的蚀刻溶液，其中所述醇类选自四氢糠醇和甘油。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的蚀刻溶液，其中所述氧化剂选自1,4-苯醌、1,2-苯醌、1,4-萘醌和9,10-蒽醌。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的蚀刻溶液，其中所述蚀刻溶液包含小于0.001重量%的过氧化物。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的蚀刻溶液，其中所述水混溶性有机溶剂选自亚砜类、砜或其混合物。

8.根据权利要求7所述的蚀刻溶液，其中所述砜选自环丁砜、环丁烯砜。

9.根据权利要求1所述的蚀刻溶液，其中所述水混溶性有机溶剂选自环丁砜、二甲基亚砜、N-甲基吡咯烷酮、聚乙二醇、二甲基乙酰胺或其混合物。

10.根据权利要求1-4中任一项所述的蚀刻溶液，其中所述腐蚀抑制剂选自羟基取代的喹啉和烷基取代的喹啉。

11.根据权利要求10所述的蚀刻溶液，其中所述羟基取代的喹啉是8-羟基喹啉。

12.根据权利要求10所述的蚀刻溶液，其中所述烷基取代的喹啉选自2-甲基喹啉和4-甲基喹啉。

13.根据权利要求1-4中任一项所述的蚀刻溶液，其中所述腐蚀抑制剂选自8-羟基喹啉、鲸蜡基三甲基溴化铵、11-巯基十一烷酸和N-甲基正辛胺。

14.根据权利要求1-4中任一项所述的蚀刻溶液，其中所述腐蚀抑制剂包含喹啉。

15.根据权利要求1-4中任一项所述的蚀刻溶液，其中所述缓冲剂包含柠檬酸和柠檬酸三铵。

16.根据权利要求1-4中任一项所述的蚀刻溶液，其中所述缓冲剂包含胺化合物和多官能有机酸。