[发明专利]一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构

权利要求书

1.一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构，包括基底(1)和B₄C薄膜(2)其特征在于，所述基底(1)和B₄C薄膜(2)间设置有金属层(3)。

2.根据权利要求1所述的一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构，其特征在于，所述的金属层(3)的材料为活泼金属。

3.根据权利要求2所述的一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构，其特征在于，所述活泼金属的吉布斯自由能不超过Al金属的吉布斯自由能；优选为Ti、Ni、Al、Mg或MgAl合金。

4.根据权利要求1所述的一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构，其特征在于，所述金属层(3)的厚度不超过100nm。

5.根据权利要求4所述的一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构，其特征在于，所述金属层(3)的厚度为15nm。

6.根据权利要求1所述的一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构，其特征在于，所述B₄C薄膜(2)和金属层(3)的制备工艺均为磁控溅射。

7.根据权利要求6所述的一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构，其特征在于，所述磁控溅射过程中的惰性气体为纯度为99.99％的Ar气，溅射B₄C靶时的溅射气压为10-12mtorr，溅射金属靶时的溅射气压为1.0-2.0mtorr。

8.根据权利要求6所述的一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构，所述磁控溅射过程中：本底真空优于3.0×10^-4Pa；B₄C靶和金属靶的靶距均为6.0cm；B₄C靶的溅射功率为100W，金属靶的溅射功率为40W。

9.根据权利要求1所述的一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构，其特征在于，所述基底(1)的材料为铝。

10.根据权利要求1所述的一种用于涂硼中子探测器富硼涂层的薄膜结构，其特征在于，所述B₄C薄膜(2)的厚度为1μm～2μm。