[发明专利]一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器

权利要求书

1.一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，包括沿光路依次放置的泵浦源、自倍频激光晶体、可饱和吸收体、谐振腔输出镜；

所述自倍频激光晶体为Nd:YCOB晶体或Nd:GdCOB晶体；所述自倍频激光晶体的通光方向长度为6-15mm，所述自倍频激光晶体的切割方向均为沿1064nm倍频相位匹配方向，所述自倍频激光晶体的钕离子掺杂浓度为1–20at.％；

所述可饱和吸收体的材质为二维材料SnSe₂。

2.根据权利要求1所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述自倍频激光晶体的通光方向长度为10mm，所述自倍频激光晶体的钕离子掺杂浓度为8at.％。

3.根据权利要求1所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述Nd:YCOB晶体的I类相位匹配的切割角为(θ₁,φ₁)，θ₁的取值范围为110°-116°，φ₁的取值范围为35°-40°；所述Nd:GdCOB晶体的I类相位匹配的切割角为(θ₂,φ₂)，θ₂的取值范围为110°-116°，φ₂的取值范围为45°-50°。

4.根据权利要求3所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述Nd:YCOB晶体的I类相位匹配的切割角为(113°,37°)，所述Nd:GdCOB晶体的I类相位匹配的切割角为(113°,47°)。

5.根据权利要求1所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述泵浦源、所述自倍频激光晶体之间安放有聚焦系统。

6.根据权利要求1所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述可饱和吸收体的制备方法如下：

(1)将0.05-0.15g的SnSe₂粉末充分研磨后，溶于5-15mL的乙醇水溶液中，并充分搅拌，得到混合溶液，乙醇水溶液的体积百分比为25-35％；

(2)将混合溶液超声8-16h，使层状微粒充分降解细分；

(3)将超声后的溶液离心15-30min，提取上清液；

(4)将15-25mL的聚乙烯醇加入到上清液中，使上清液和聚乙烯醇的比例为(1:1)-(3:1)，得到分散液；

(5)将制好的分散液超声1-3h；

(6)将处理后的分散液滴在0.5-2mm厚的石英基片上自然风干，即得；

进一步优选的，所述步骤(1)中，将0.1g SnSe₂粉末溶于10mL的乙醇水溶液中，乙醇水溶液的体积百分比为30％；

所述步骤(2)中，将混合溶液超声12h；

所述步骤(3)中，利用3000r/min的离心机将超声后的溶液离心20min，使上清液和聚乙烯醇的比例为2:1；

所述步骤(4)中，聚乙烯醇的体积百分比为4％；

所述步骤(5)中，将制好的分散液超声2h；

所述步骤(6)中，将处理后的分散液滴在1mm厚的石英基片上自然风干。

7.根据权利要求1所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述Nd:YCOB晶体的泵浦端入射面镀有1055-1095nm和527-548nm光高反，800-810nm光高透介质膜，出射面镀有1055-1095nm和527-548nm光增透，800-810nm光高反介质膜。

8.根据权利要求1所述的一种被动调Q的脉冲式自倍频绿光激光器，其特征在于，所述Nd:GdCOB晶体的泵浦端入射面镀有1055-1095nm和527-548nm光高反，800-810nm光高透介质膜，出射面镀有1055-1095nm和527-548nm光增透，800-810nm光高反介质膜。