[发明专利]MRAM的制备方法

权利要求书

1.一种MRAM的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成底电极层并图形化所述底电极层以形成多个底电极；

通过沉积工艺形成磁性隧道结堆叠件，使得在所述底电极的顶面上形成所述磁性隧道结堆叠件的第一部分，并且在与所述底电极的顶面不同的水平面上形成所述磁性隧道结堆叠件的第二部分；

实施去除工艺以去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分的两侧壁边缘部分，并去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第二部分。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述实施去除工艺以去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分的两侧壁边缘部分，并去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第二部分，包括：

沉积掩膜层并图形化所述掩膜层，使得在每个底电极上的掩膜层的尺寸小于所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分的尺寸；

基于所述掩膜层，采用刻蚀工艺去除所述磁性隧道结堆叠件的第一部分的两侧壁边缘部分以及所述磁性隧道结堆叠件的所述第二部分。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述实施去除工艺以去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分的两侧壁边缘部分，并去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第二部分，还包括：

在沉积所述掩膜层并图形化所述掩膜层之前，沉积第一保护层，以覆盖所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分和所述第二部分。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述实施去除工艺以去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分的两侧壁边缘部分，并去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第二部分，包括：

采用离子束冲击的方法对所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分进行修剪，以去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分的两侧壁边缘部分；

采用掩膜工艺去除所述磁性隧道结堆叠件的所述第二部分。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁性隧道结堆叠件的所述第一部分的两侧壁边缘部分的每一侧各自去除1～10nm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：基于保留的所述磁性隧道结堆叠件的第一部分的结构，制备第二保护层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述水平面低于所述底电极的顶面。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述底电极的底部尺寸小于顶部尺寸。