[发明专利]一种基于无时钟电流舵DAC结构的硅光电倍增管

权利要求书

1.一种基于无时钟电流舵DAC结构的硅光电倍增管，其特征在于，包括：信号输出模块和若干像素模块，

所述像素模块，用于生成差分电流信号；

所述信号输出模块，用于将所述若干像素模块的差分电流信号转化为差分电压信号；

所述像素模块的输出端与信号输出模块的输入端连接；

所述若干像素模块在同一平面呈正方形排布；

所述像素模块包括：雪崩二极管像素单元、淬灭电路和电流源电路，

所述雪崩二极管像素单元，用于产生雪崩电流脉冲；

所述淬灭电路，用于根据所述雪崩电流脉冲得到脉冲电压信号；

所述电流源电路，用于根据所述脉冲电压信号得到差分电流信号；

所述雪崩二极管像素单元的输出端与淬灭电路的输入端连接，淬灭电路的输出端与电流源的输入端连接，电流源的输出端与信号输出模块连接。

2.根据权利要求1所述的一种基于无时钟电流舵DAC结构的硅光电倍增管，其特征在于，还包括偏置电路模块，

所述偏置电路模块，用于为所述电流源电路提供偏置电压；

所述偏置电路模块的输出端分别与若干像素模块内的所述电流源电路的偏置输入端连接。

3.根据权利要求2所述的一种基于无时钟电流舵DAC结构的硅光电倍增管，其特征在于，还包括电源模块，所述电源模块为所述像素模块提供电源，所述电源模块的电源输出端与雪崩二极管像素单元的电源输入端连接。

4.根据权利要求3所述的一种基于无时钟电流舵DAC结构的硅光电倍增管，其特征在于，所述雪崩二极管像素单元包括单光子雪崩二极管。

5.根据权利要求3所述的一种基于无时钟电流舵DAC结构的硅光电倍增管，其特征在于，所述电流源电路包括传输门单元TG1、反相器I1、反相器I2、反相器I3、PMOS管M1、PMOS管M2、MOS管M3和PMOS管M4；

所述PMOS管M1的源极与所述电源模块连接，所述PMOS管M1的栅极与所述偏置电路模块的Vb1输出端连接，所述PMOS管M1的漏极与所述PMOS管M2的源极相连接；所述PMOS管M2的栅极与所述偏置电路模块的Vb2输出端连接，所述PMOS管M2的漏极分别与所述PMOS管M3的源极和所述PMOS管M4的源极连接；所述反相器I1的输入端与所述淬灭电路的输出端连接，所述I1的输出端与所述反相器I2的输入端连接；所述I2的输出端与PMOS管M3的栅极连接；所述I3的输出端与所述PMOS管M3的栅极连接；所述传输门单元TG1的输出端与所述反相器I3的输入端连接，所述I3的输出端与所述PMOS管M4的栅极连接。

6.根据权利要求5所述的一种基于无时钟电流舵DAC结构的硅光电倍增管，其特征在于，所述信号输出模块为差分信号输出电路，若干所述电流源电路的PMOS管M3、PMOS管M4分别并联，并分别与所述差分信号输出电路的两个输入端连接。