[发明专利]一种用于放肩过程的晶体生长控制方法、装置、系统及计算机存储介质

权利要求书

1.一种用于放肩过程的晶体生长控制方法，其特征在于，包括以下步骤：

预先设置放肩过程不同阶段的晶体生长角度设定值和所述放肩过程不同阶段的晶体生长工艺参数的设定值；

获得所述放肩过程不同阶段的晶体直径，并计算获得晶体直径的变化值和晶体长度的变化值，并利用所述晶体直径的变化值与所述晶体长度的变化值之间的比值计算晶体生长角度值；

将所述晶体生长角度值与所述晶体生长角度设定值进行比较，得到差值，并将所述差值作为PID算法的输入变量；

通过PID算法计算晶体生长工艺参数的调节值，作为PID算法的输出变量；

将所述晶体生长工艺参数的调节值和所述晶体生长工艺参数的设定值相加，得到实际长晶过程的工艺参数，从而保证每次放肩直径变化的一致性，进而保证不同批次晶体生长质量的稳定。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，计算所述晶体生长角度值的方法包括：

θ’＝2arctan(△Dia/△L)

其中，θ’表示晶体生长角度值，△Dia表示晶体直径的变化值，△L表示晶体长度的变化值。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述放肩过程的晶体生长工艺参数包括拉晶速度和/或温度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述放肩过程不同阶段包括不同放肩时间或不同晶体长度处。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述放肩过程不同阶段的晶体直径通过直径测量装置获得。

6.一种用于放肩过程的晶体生长控制装置，其特征在于，所述装置包括：

预先设置模块，用于预先设置放肩过程不同阶段的晶体生长角度设定值和所述放肩过程不同阶段的晶体生长工艺参数的设定值；

直径测量装置，用于获得所述放肩过程不同阶段的晶体直径，并计算获得晶体直径的变化值和晶体长度的变化值，并利用所述晶体直径的变化值与所述晶体长度的变化值之间的比值计算晶体生长角度值；

比较模块，用于将所述晶体生长角度值与所述晶体生长角度设定值进行比较，得到差值；

PID控制模块，用于将所述差值作为所述PID控制模块的输入变量，并通过PID算法计算晶体生长工艺参数的调节值，作为所述PID控制模块的输出变量；

工艺参数设置模块，将所述晶体生长工艺参数的调节值和所述晶体生长工艺参数的设定值相加，得到实际长晶过程的工艺参数。

7.根据权利要求6所述的晶体生长控制装置，其特征在于，所述放肩过程的晶体生长工艺参数包括拉晶速度和/或温度。

8.根据权利要求6所述的晶体生长控制装置，其特征在于，所述放肩过程不同阶段包括不同放肩时间或不同晶体长度处。

9.一种用于放肩过程的晶体生长控制系统，包括存储器、处理器及存储在所述存储器上且在所述处理器上运行的计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至5中任一项所述方法的步骤。

10.一种计算机存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被计算机执行时实现权利要求1至5中任一项所述方法的步骤。