[发明专利]超薄晶圆的制备方法

权利要求书

1.一种超薄晶圆的制备方法，其特征在于，包括：

提供晶圆(10)，所述晶圆(10)具有相对设置的第一表面(110)与第二表面(120)；

将所述第一表面(110)设置第一保护膜(20)，将切割装置的切割面与所述第一保护膜(20)远离所述晶圆(10)的表面呈60°～85°进行切割，获得切割后的第二保护膜(210)；

将所述晶圆(10)的所述第二表面(120)进行减膜，获得减膜后的第三晶圆(160)；

将所述第三晶圆(160)远离所述第二保护膜(210)的表面采用固定环(30)进行绷膜，获得第一支撑膜(40)；

根据所述固定环(30)对所述第一支撑膜(40)远离所述第三晶圆(160)的表面进行切割，获得切割后的第二支撑膜(410)；

去除所述第三晶圆(160)的所述第二保护膜(210)，获得超薄晶圆(100)。

2.如权利要求1所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，在对所述第一保护膜(20)进行切割时，控制所述切割装置的切割温度在140℃～170℃内。

3.如权利要求2所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，沿所述晶圆(10)的边缘以30°/s的切割速度对所述第一保护膜(20)进行切割。

4.如权利要求1所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，将所述第三晶圆(160)远离所述第二保护膜(210)的表面采用固定环(30)进行绷膜，获得第一支撑膜(40)包括：

根据第一预设厚度，采用砂轮直径为300mm，且粗粒度为325#～600#的金刚石砂轮，并以砂轮转速2000RPM～2400RPM，轴向进刀速度为1.5um/s～5um/s对所述晶圆(10)的所述第二表面(120)进行研磨，获得研磨后的第一晶圆(140)；

根据第二预设厚度，采用砂轮直径为300mm，且粗粒度为2000#～8000#金刚石砂轮，并以砂轮转速2000RPM～3000RPM，轴向进刀速度为0.2um/s～0.4um/s对远离所述第二保护膜(210)的所述第一晶圆(140)的表面进行研磨，获得研磨后的第二晶圆(150)；

根据第三预设厚度，对所述第二晶圆(150)进行研磨，获得减膜后的所述第三晶圆(160)。

5.如权利要求4所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，根据所述第三预设厚度，采用干式抛光磨轮方式，并以砂轮直径为450mm，磨轮转速为1500RPM～2500RPM，轴向进刀速度为0.1um/s～0.2um/s对所述第二晶圆(150)进行研磨，获得减膜后的所述第三晶圆(160)。

6.如权利要求4所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，所述第一预设厚度的范围为所述晶圆(10)厚度与所述第二保护膜(210)厚度之和至所述超薄晶圆(100)厚度、所述第二保护膜(210)厚度与50um之和。

7.如权利要求6所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，所述第二预设厚度的范围为所述超薄晶圆(100)厚度、所述第二保护膜(210)厚度与50um之和至所述超薄晶圆(100)厚度、所述第二保护膜(210)厚度与10um之和。

8.如权利要求7所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，所述第三预设厚度的范围为所述超薄晶圆(100)厚度、所述第二保护膜(210)厚度与10um之和至所述超薄晶圆(100)厚度与所述第二保护膜(210)厚度之和。

9.如权利要求1所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，所述超薄晶圆(100)的厚度范围为20um～40um。

10.如权利要求7所述的超薄晶圆的制备方法，其特征在于，，所述超薄晶圆(100)的厚度为35um。