[发明专利]显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备在审

专利信息
申请号: 201910182088.6 申请日: 2014-07-01
公开(公告)号: CN109920376A 公开(公告)日: 2019-06-21
发明(设计)人: 小野山有亮;山下淳一;丰村直史 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: G09G3/3233 分类号: G09G3/3233
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 驱动晶体管 显示装置 源极电极 栅极电极 驱动 像素阵列单元 电子设备 发光单元 驱动单元 像素电路 阈值校正 发光 发光控制晶体管 施加 采样晶体管 存储电容器 辅助电容器 标准电压 浮置状态 施加信号 阈值电压
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括:

像素阵列单元,所述像素阵列单元通过布置像素电路而形成,所述像素电路包括驱动发光单元的P沟道型驱动晶体管、施加信号电压的采样晶体管、控制所述发光单元发光和不发光的发光控制晶体管、连接在所述驱动晶体管的栅极电极与源极电极之间的存储电容器以及连接至所述驱动晶体管的所述源极电极的辅助电容器;以及

驱动单元,在阈值校正期间,所述驱动单元将第一电压和第二电压分别施加至所述驱动晶体管的所述源极电极和所述驱动晶体管的所述栅极电极,所述第一电压与所述第二电压之间的差小于所述驱动晶体管的阈值电压,并且随后在其中所述驱动晶体管的所述源极电极已被设定至浮置状态的状态下执行将用于阈值校正的标准电压施加至所述栅极电极的驱动。

2.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述第一电压是像素的电源电压。

3.根据权利要求2所述的显示装置,

其中,所述发光控制晶体管被连接在所述电源电压的节点与所述驱动晶体管的所述源极电极之间,以及

所述驱动单元通过将所述发光控制晶体管设定至导通状态来将所述电源电压施加至所述驱动晶体管的所述源极电极,并且通过将所述发光控制晶体管设定至非导通状态来将所述驱动晶体管的所述源极电极设定至浮置状态。

4.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述第二电压与像素的电源电压相同。

5.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述第二电压是与像素的电源电压不同的电压。

6.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述采样晶体管被连接在信号线与所述驱动晶体管的所述栅极电极之间,以及

所述驱动单元通过所述采样晶体管的采样来施加通过所述信号线施加的所述第二电压。

7.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述采样晶体管被连接在信号线与所述驱动晶体管的所述栅极电极之间,以及

所述驱动单元通过所述采样晶体管的采样来施加通过所述信号线施加的所述标准电压。

8.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述驱动单元通过施加所述标准电压时的所述存储电容器与所述辅助电容器的电容耦合来升高所述驱动晶体管的源极电位。

9.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述驱动单元通过施加所述标准电压时的所述存储电容器与所述辅助电容器的电容耦合来放大所述驱动晶体管的栅极与源极之间的电压。

10.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述存储电容器的电容值大于或等于所述辅助电容器的电容值。

11.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,作为所述像素电路的操作点所施加的最大电压为(电源电压-信号电压)。

12.根据权利要求11所述的显示装置,

其中,所述存储电容器由高介电常数材料形成。

13.根据权利要求11所述的显示装置,

其中,所述辅助电容器由高介电常数材料形成。

14.根据权利要求1所述的显示装置,

其中,所述第二电压是施加到信号线并由所述采样晶体管采样的电压,以及

在向所述信号线施加所述第二电压之前施加所述第二电压与所述信号电压之间的中间电压。

15.根据权利要求14所述的显示装置,

其中,所述中间电压是所述标准电压。

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