[发明专利]化学机械抛光方法以及化学抛光系统

权利要求书

1.一种化学机械抛光方法，其特征在于，包括：

提供一化学机械抛光装置，该化学机械抛光装置具有抛光垫以及晶片载体，所述晶片载体具有用于承载半导体晶片的开口，所述开口的内侧壁上设有一个嵌体；

将一半导体晶片置于所述晶片载体的开口内，并通过所述嵌体实现所述半导体晶片在所述晶片载体中的固定，且使得所述半导体晶片需要被抛光的表面面对所述抛光垫，所述半导体晶片的中心和所述开口的中心是重合的，所述开口的深度大于所述半导体晶片的厚度；

测量所述晶片载体的厚度，并获得所述半导体晶片被抛光后的目标厚度；

根据所述晶片载体的厚度和所述半导体晶片被抛光后的目标厚度之差，设定所述半导体晶片的抛光工艺参数；

所述化学机械抛光装置根据所述抛光工艺参数对所述半导体晶片进行抛光；

且，所述化学机械抛光装置根据所述抛光工艺参数对所述半导体晶片抛光完成之后，还包括重复以下步骤直至所述半导体晶片被抛光后的平整度以及当前厚度均满足要求：

测量所述晶片载体的厚度以及所述半导体晶片被抛光后的当前厚度；

根据所述晶片载体的厚度和所述半导体晶片被抛光后的当前厚度之差以及所述半导体晶片的目标厚度，判定是否需要对所述半导体晶片进行二次抛光；

若否，则在所述化学机械抛光装置上对所述半导体晶片进行去离子水冲洗，并在冲洗完成后，将所述半导体晶片从所述化学机械抛光装置上取走；

若是，则根据所述晶片载体的厚度和所述半导体晶片被抛光后的当前厚度之差以及所述半导体晶片的目标厚度，设定所述半导体晶片的二次抛光工艺参数，所述化学机械抛光装置根据所述二次抛光工艺参数对所述半导体晶片进行二次抛光，且所述二次抛光比前次的抛光更精细。

2.如权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述抛光工艺参数包括抛光时间、向所述半导体晶片施加的压力、所述抛光垫和所述半导体晶片的转速、抛光浆料温度、抛光浆料的流速以及在抛光完成时所述半导体晶片的当前厚度和所述晶片载体的厚度之差中的多种。

3.如权利要求1所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述半导体晶片被抛光后的目标厚度和当前厚度均为所述半导体晶片中心的厚度。

4.如权利要求1至3中任一项所述的化学机械抛光方法，其特征在于，所述化学机械抛光装置的抛光垫包括面对所述半导体晶片上表面的上抛光垫和面对所述半导体晶片下表面的下抛光垫，所述化学机械抛光装置根据所述抛光工艺参数对所述半导体晶片的下表面和/或上表面进行抛光。