[发明专利]半导体装置

说明书

本发明的一个方式提供一种半导体装置。本发明的一个方式包括晶体管(101)、晶体管(102)、晶体管(103)及晶体管(104)。晶体管(101)的第一端子与布线(111)连接，且晶体管101的第二端子与布线(112)连接。晶体管(102)的第一端子与布线(113)连接，且晶体管(102)的第二端子与布线(112)连接。晶体管(103)的第一端子与布线(113)连接，且晶体管(103)的栅极与布线(111)或布线(119)连接。晶体管(104)的第一端子与晶体管(103)的第二端子连接，且晶体管(104)的第二端子与晶体管(101)的栅极连接，且晶体管(104)的栅极与晶体管(102)的栅极连接。

本发明申请是申请号为201510087445.2，申请日为2015年2月25日，名称为“半导体装置及电子设备”的发明专利申请的分案申请。

技术领域

本发明的一个方式涉及一种半导体装置、显示装置、显示模块及电子设备。

注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。由此，更具体地，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的一个例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。

背景技术

近年来，对由具有相同极性的晶体管构成的移位寄存器的开发得到积极地开展。专利文献1及专利文献2公开了上述那样的移位寄存器的技术。

[专利文献1]日本专利申请公开2004-103226号公报；

[专利文献2]日本专利申请公开2005-050502号公报。

在专利文献1的图7所示的移位寄存器中，通过晶体管M2开启，输出电压VOFF。但是，由于在GOUT[N-1]为高电平的期间，晶体管M2关闭，所以输出电压VOFF的期间较短。此外，由于晶体管M2的栅极与晶体管M4的栅极连接，所以在晶体管M2开启时晶体管M4也开启。因此，在GOUT[N-1]为高电平的期间，在晶体管M2开启时，移位寄存器不发挥作用。

在专利文献2的图7所示的移位寄存器中，通过晶体管Q53或晶体管Q56开启，输出电压VOFF。在信号IN1为高电平的期间，晶体管Q53关闭，但晶体管Q56开启，由此输出电压VOFF。但是，为了实现上述晶体管的工作，需要两个晶体管，即晶体管Q53及晶体管Q56，所以晶体管数量较多。

发明内容

本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的电路结构。尤其是提供一种能够应用于移位寄存器的一部分或该移位寄存器所包括的时序电路的一部分的新颖的电路结构。本发明的一个方式的目的之一是提供一种延长输出电压的期间或能够实现该情况的电路结构。本发明的一个方式的目的之一是提供一种延长用来输出电压的晶体管开启的期间或能够实现该情况的电路结构。本发明的一个方式的目的之一是减少晶体管数量。本发明的一个方式的目的之一是降低耗电量。本发明的一个方式的目的之一是缩小布局面积。本发明的一个方式的目的之一是减少制造工序。本发明的一个方式的目的之一是降低成本。

注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。此外，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽出上述以外的目的。