[发明专利]用于施加接合层的方法

权利要求书

1.用于将第一基板与第二基板接合的方法，所述方法包括：

将可氧化基本材料作为基本层施加在第一基板的接合侧上，

用具有小于100nm的厚度的保护层至少部分地覆盖所述基本层，所述保护层由包含非金属化学元素的保护材料组成；以及

接合所述第一和第二基板，

其中所述保护材料在接合期间完全溶解于基本材料中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述基本材料是氧亲和性的并且由铝和/或铜组成。

3.根据权利要求1所述的方法，其中施加基本材料作为基本层和/或用保护层覆盖所述基本层的步骤通过沉积来实现。

4.根据权利要求1所述的方法，其中通过所述保护层相对于气氛至少占大部分地密封被覆盖的基本层。

5.根据权利要求1所述的方法，此外包括：

在接合步骤之前利用以下工艺中的一个或多个处理所述保护层：

（a）化学氧化物移除，

（b）物理氧化物移除，尤其利用等离子体；以及

（c）离子辅助化学蚀刻。

6.根据权利要求1所述的方法，其中基本材料和/或保护材料是选自以下组的一种或多种材料，该组包括金属、碱金属、碱土金属、合金、和配备有相应掺杂的半导体。

7.根据权利要求1所述的方法，其中配备有相应掺杂的半导体被选择作为所述保护材料。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述化学氧化物移除工艺包括气体还原剂和/或液体还原剂。

9.根据权利要求5所述的方法，其中所述离子辅助化学蚀刻工艺包括快速离子轰击、研磨、和/或抛光。

10.根据权利要求6所述的方法，其中所述金属选自包括Cu、Ag、Au、Al、Fe、Ni、Co、Pt、W、Cr、Pb、Ti、Te、Sn、Zn、和Ga的组。

11.根据权利要求6所述的方法，其中所述碱金属选自包括Li、Na、K、Rb、和Cs的组。

12.根据权利要求6所述的方法，其中所述碱土金属选自包括Mg、Ca、Sr、和Ba的组。

13.根据权利要求6所述的方法，其中所述半导体选自包括元素半导体和化合物半导体的组。

14.根据权利要求7所述的方法，其中所述半导体选自包括元素半导体和化合物半导体的组。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述元素半导体选自包括Si、Ge、Se、Te、B、和Sn的组。

16.根据权利要求14所述的方法，其中所述元素半导体选自包括Si、Ge、Se、Te、B、和Sn的组。

17.根据权利要求13所述的方法，其中所述化合物半导体选自包括GaAs、GaN、InP、In_xGa_1-xN、InSb、InAs、GaSb、AlN、InN、GaP、BeTe、ZnO、CuInGaSe₂、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、Hg_(1-x) Cd_(x)Te、BeSe、HgS、Al_xGa_1-xAs、GaS、GaSe、GaTe、InS、InSe、InTe、CuInSe₂、CuInS₂、CuInGaS₂、SiC、和SiGe的组。

18.根据权利要求14所述的方法，其中所述化合物半导体选自包括GaAs、GaN、InP、In_xGa_1-xN、InSb、InAs、GaSb、AlN、InN、GaP、BeTe、ZnO、CuInGaSe₂、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、Hg_(1-x) Cd_(x)Te、BeSe、HgS、Al_xGa_1-xAs、GaS、GaSe、GaTe、InS、InSe、InTe、CuInSe₂、CuInS₂、CuInGaS₂、SiC、和SiGe的组。