[发明专利]非易失性存储器的数据读出方法、装置以及介质

说明书

一种非易失性存储器的数据读出方法、装置以及介质，所述方法包括：获取地址信息，对所述地址信息进行译码后确定对应的存储单元的地址；若所述存储单元的地址处于选定区域，对第一判断参考值进行调整后得到第二判断参考值；向所述存储单元加载读出电流，获取所述存储单元输出的判断电流；将所述存储单元输出的判断电流的数值范围与所述第二判断参考值的进行比对，读出所述存储单元内存储的数据内容。采用上述方案，在确保存储器读出的数据的准确度的同时，保证数据读出的速度。

技术领域

本发明涉及存储器领域，尤其涉及一种非易失性存储器的数据读出方法、装置以及介质。

背景技术

非易失性存储器是指在关闭计算机或者突然性、意外性关闭计算机的情况下，存储的数据不会丢失的存储器。

在从存储器中读出数据时，存储器读出电路向存储器内的存储单元(Cell)加载电压或电流，根据存储单元输出的电流或电压的数值范围与参考值的数值比对，从而判断存储单元内的存储数据。存储单元输出的电流或电压的数值范围与参考值之间的数值差距越大，存储数据内容的判断越准确与快速。但是，同一个存储单元输出的电流或电压的数值范围是会变化的。在对非易失性存储器进行多次擦写(Cycling)后，存储单元输出的电流或电压的数值范围与参考值之间的数值差距可能会越来越小。在数值差距小于一定的数值，即小于标准判断裕量后，存储数据内容的判断容易出现误差，进而存储器读出的数据出现误差。

发明内容

本发明解决的技术问题是存储器读出的数据出现误差。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种非易失性存储器的数据读出方法，包括：获取地址信息，对所述地址信息进行译码后确定对应的存储单元的地址；若所述存储单元的地址处于选定区域，对第一判断参考值进行调整后得到第二判断参考值；向所述存储单元加载读出电流，获取所述存储单元输出的判断电流；将所述存储单元输出的判断电流的数值范围与所述第二判断参考值的进行比对，读出所述存储单元内存储的数据内容。

可选的，对所述非易失性存储器进行晶圆级可靠性测试；将所有存储单元内存储的数据设为0，测试输出电流的最大值与所述第一判断参考值的数值差距，将数值差距小于标准判断裕量的各个存储单元的地址，作为第一选定区域；将所有存储单元内存储的数据设为1，测试输出电流的最小值与所述第一判断参考值的数值差距，将数值差距小于标准判断裕量的各个存储单元的地址，作为第二选定区域。

可选的，若所述存储单元的地址处于第一选定区域，按照预设的调整标准增大所述第一判断参考值，得到所述第二判断参考值。

可选的，所述第二判断参考值与所述第一选定区域内的各个地址对应的存储单元的输出电流的最大值的数值差距，均大于所述标准判断裕量。

可选的，读出电路向所述存储单元加载第一读出电流。

可选的，若所述存储单元的地址处于第二选定区域，按照预设的调整标准减小所述第一判断参考值，得到所述第二判断参考值。

可选的，所述第二判断参考值与所述第二选定区域内的各个地址对应的存储单元的输出电流的最小值的数值差距，均大于所述标准判断裕量。

可选的，读出电路向所述存储单元加载第二读出电流。

本发明还提供一种非易失性存储器的数据读出装置，包括：译码单元，用于获取地址信息，对所述地址信息进行译码后确定对应的存储单元的地址；调整单元，用于若所述存储单元的地址处于选定区域，对第一判断参考值进行调整后得到第二判断参考值；读出单元，用于向所述存储单元加载读出电流，获取所述存储单元输出的判断电流；判断单元，用于将所述存储单元输出的判断电流的数值范围与所述第二判断参考值的进行比对，读出所述存储单元内存储的数据内容。