[发明专利]半导体器件及其结边缘区

权利要求书

1.一种半导体器件的结边缘区，其特征在于，所述结边缘区包括一个以上的环单元，所述环单元包括：

第一导电类型的半导体衬底；

多数个槽，设置于所述半导体衬底的一侧，所述多数个槽的内部设置有导电材料，所述导电材料通过第一绝缘介质而与所述半导体衬底相隔离；

第二导电类型的多数个浮空区，邻接所述第一绝缘介质而对应设置于所述多数个槽的底部，所述第二导电类型相异于所述第一导电类型；以及

第二绝缘介质，设置于所述半导体衬底的表面，以覆盖、邻接或邻近所述第一绝缘介质。

2.如权利要求1所述半导体器件的结边缘区，其特征在于，还包括第一金属层，所述第二绝缘介质在所述多数个槽的槽口处设置有开口，所述第一金属层设置于所述第二绝缘介质上，且通过所述开口与所述导电材料相接触，并通过所述第二绝缘介质而与所述半导体衬底相隔离。

3.如权利要求1所述半导体器件的结边缘区，其特征在于，还包括第二导电类型的至少一上部区，所述至少一上部区设置于所述多数个槽的局部或全部的槽间隔中，所述至少一上部区通过所述第一绝缘介质而与所述导电材料相隔离，所述至少一上部区设置位置邻近或邻接所述多数个槽的槽口。

4.如权利要求3所述半导体器件的结边缘区，其特征在于，所述多数个槽包括两个边界槽，所述至少一上部区选择性的设置于所述两个边界槽中至少其一的外侧。

5.如权利要求3所述半导体器件的结边缘区，其特征在于，还包括第一金属层，所述第一金属层设置于所述第二绝缘介质上。

6.如权利要求5所述半导体器件的结边缘区，其特征在于，所述第二绝缘介质在所述多数个槽的槽口处设置有开口，所述第一金属层通过所述开口与所述导电材料相接触。

7.如权利要求5所述半导体器件的结边缘区，其特征在于，所述第二绝缘介质上设置有开口，所述第一金属层通过所述开口而与局部或全部的所述至少一上部区相接触。

8.如权利要求3所述半导体器件的结边缘区，其特征在于，所述至少一上部区包括次掺杂区，所述次掺杂区为重掺杂区或轻掺杂区。

9.如权利要求8所述半导体器件的结边缘区，其特征在于，所述次掺杂区与所述至少一上部区为相同导电类型或相异导电类型。

10.一种半导体器件，包括有源区与结边缘区，其特征在于，所述结边缘区包括一个以上的环单元，所述环单元包括：

N型半导体衬底；

多数个槽，设置于所述N型半导体衬底的一侧，所述多数个槽的内部设置有多晶硅，所述多晶硅通过第一绝缘介质而与所述N型半导体衬底相隔离，所述多数个槽包括两个边界槽；

P型多数个浮空区，邻接所述第一绝缘介质而对应设置于所述多数个槽的底部；

至少一P型上部区，设置于所述多数个槽的局部或全部的槽间隔及所述两个边界槽的外侧；

第二绝缘介质，设置于所述半导体衬底的表面，设置有开口；以及

第一金属层，设置于所述第二绝缘介质上，所述第一金属层通过所述开口而与局部或全部的所述至少一P型上部区相接触，及所述第一金属层通过所述开口与所述多晶硅相接触，或所述第一金属层通过所述第二绝缘介质与所述多晶硅相隔离。