[发明专利]一种ZHTS微波介质陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种ZHTS微波介质陶瓷，具有式(I)所示的通式：

Zr_xHf_yTi₂Sn_zO₆ 式(I)；

式(I)中，0.485≤x≤0.845，y＝0.015，x+y+z＝1；

所述ZHTS微波介质陶瓷还包括：

添加剂；

所述添加剂由质量比为(35～45)：(15～25)：(15～30)：(5～20)：(1～10)的SiO₂、B₂O₃、La₂O₃、ZnO和MgO制备而成；

所述添加剂的量为ZHTS微波介质陶瓷质量的0.4％～1.2％。

2.根据权利要求1所述的微波介质陶瓷，其特征在于，所述添加剂的制备方法具体为：

将SiO₂、B₂O₃、La₂O₃、ZnO和MgO混合后球磨，再在1200℃～1300℃下熔融10min～30min，分离后破碎、过筛，得到添加剂。

3.一种权利要求1所述的ZHTS微波介质陶瓷的制备方法，包括以下步骤：

a)将ZrO₂、HfO₂、TiO₂和SnO₂混合后，进行第一次研磨处理，再经预烧结，得到预烧料；然后将得到的预烧料进行第二次研磨处理，得到粉料；

b)在步骤a)得到的粉料中加入粘合剂进行造粒成型，得到陶瓷生坯；再将得到的陶瓷生坯进行烧结，得到ZHTS微波介质陶瓷。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤a)中所述第一次研磨处理的过程具体为：

将混合后的原料及锆球、水以1：(3～4)：(2～3)的质量比混合，在200r/min～300r/min的转速下球磨3h～5h，然后在80℃～150℃下烘干，得到第一次研磨处理后的混料。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤a)中所述预烧结的温度为950℃～1150℃，升温速率为3℃/min～8℃/min，保温时间为3h～4h。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中所述粘合剂为质量百分含量为6％～8％的聚乙烯醇水溶液；

所述粉料与粘合剂的质量比为100：(15～25)。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中所述造粒成型的过程具体为：

在所述微波介质陶瓷粉料中加入粘合剂，造粒研磨0.5h～1.5h，过70目～90目筛，再将得到的粉料在80MPa～120MPa的压力下压制成型，得到陶瓷生坯。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，步骤b)中所述烧结的温度为1200℃～1400℃，升温速率为3℃/min～8℃/min，保温时间为2h～4h。

9.根据权利要求3～8任一项所述的制备方法，其特征在于，所述步骤a)还包括：

将得到的预烧料与添加剂混合后，再进行第二次研磨处理，得到粉料。