[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面具有待刻蚀材料层；

在所述待刻蚀材料层上形成第一牺牲材料层和位于所述第一牺牲材料层上的第二牺牲材料层，且所述第二牺牲材料层对光的吸收程度小于所述第一牺牲材料层对光的吸收程度；

在所述第二牺牲材料层上形成图形化的光刻胶层；

以所述图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀所述第二牺牲材料层和第一牺牲材料层，直至暴露出待刻蚀材料层表面，形成第一牺牲层和位于第一牺牲层上的第二牺牲层；

形成所述第一牺牲层和第二牺牲层之后，在所述第一牺牲层和第二牺牲层侧壁表面形成掩膜侧墙；形成所述掩膜侧墙之后，采用第一刻蚀工艺去除第二牺牲层，直至暴露出第一牺牲层表面；采用第二刻蚀工艺去除第一牺牲层，直至暴露出待刻蚀材料层表面；以所述掩膜侧墙为掩膜，刻蚀所述待刻蚀材料层。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀材料层的材料包括：介质材料、金属材料或者硬掩膜材料。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲材料层的厚度为：500埃～1000埃。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲材料层的厚度为：500埃～1000埃。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料包括：无定形硅或者无定形碳。

6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二牺牲层的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：在形成第一牺牲材料层之前，在所述待刻蚀材料层上形成缓冲材料层。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述缓冲材料层的材料为硬掩膜材料。

9.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述图形化的光刻胶层的形成方法包括：在所述第二牺牲材料层表面形成光刻胶材料层；对所述光刻胶材料层进行曝光显影，形成图形化的光刻胶层，所述图形化的光刻胶层覆盖第二牺牲层的表面。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜侧墙的形成方法包括：在所述待刻蚀材料层上形成第一掩膜材料层，且所述第一掩膜材料层覆盖第二牺牲层的顶部表面和侧壁表面；回刻蚀所述第一掩膜材料层，直至暴露出第二牺牲层的顶部表面和待刻蚀材料层的顶部表面，形成掩膜侧墙。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述掩膜侧墙的材料和第一牺牲层、以及第二牺牲层的材料不同；所述掩膜侧墙的材料包括：氧化硅、氮化硅、氮碳化硅、氮硼化硅、氮碳氧化硅或氮氧化硅。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀工艺包括干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺中的一种或者两种组合；所述第一刻蚀工艺对掩膜侧墙的刻蚀速率小于所述第一刻蚀工艺对第二牺牲层的刻蚀速率。

13.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀工艺包括干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺中的一种或者两种；所述第二刻蚀工艺对掩膜侧墙的刻蚀速率小于所述第二刻蚀工艺对第一牺牲层的刻蚀速率。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，还包括：形成所述掩膜侧墙之后，去除第一牺牲层和第二牺牲层之前，在所述待刻蚀材料层表面形成掩膜层，所述掩膜层覆盖掩膜侧墙的侧壁表面。