[发明专利]一种二极管芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910185893.4 申请日: 2019-03-12
公开(公告)号: CN109873066B 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 徐洲;邹微微;王洪占;彭钰仁;张国庆;蔡端俊 申请(专利权)人: 扬州乾照光电有限公司
主分类号: H01L33/46 分类号: H01L33/46;H01L33/20;H01L33/00
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 王文红
地址: 225000 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 二极管 芯片 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种二极管芯片,其特征在于,包括:基板,位于基板上的金属键合层、反射层、外延层、N型电极层以及位于基板背面的P型电极层;

所述外延层包括依次位于所述反射层上的P型结构层、发光层、N型结构层和N型欧姆接触层;

所述反射层与所述P型结构层的接触处形成导电层和具有规则排布的实心图案层,所述实心图案层的侧壁面与所述基板成设定角度;

所述N型结构层包括N型粗化层,所述N型粗化层暴露于所述N型电极层外的区域具有粗化状形貌;

所述反射层包括位于所述金属键合层上的反射金属层和位于所述反射金属层上的反射介质膜层;

所述P型结构层包括位于所述反射介质膜层上的P型窗口层;

所述P型窗口层上设置有由多个按设定规则排布的第一凹坑组成的第一凹坑层,每个第一凹坑的侧壁面与所述基板成设定角度;

所述反射介质膜层设置有与所述第一凹坑相匹配的第二凹坑,且在相邻两个第二凹坑之间的凸起处的平坦位置设置有填充有金属的介质膜通孔,所述相邻两个所述第二凹坑之间的凸起处朝向所述基板;

所述反射金属层与所述金属键合层粘接;

所述反射金属层上设置有由填充所述第二凹坑的凸起结构形成的凸起结构层,将所述反射金属层与所述反射介质膜层粘接,所述反射金属层与介质膜通孔内填充的金属一端接触,所述介质膜通孔内填充的金属另一端与所述P型窗口层接触,形成所述导电层;

所述第一凹坑层、所述反射介质膜层和所述凸起结构层形成所述实心图案层。

2.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述实心图案层包括:圆锥型图案层、圆台型图案层、棱锥型图案层或棱台型图案层。

3.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述介质膜通孔与所述第二凹坑的位置关系包括以下几种:

所述介质膜通孔位于最外侧相邻两个第二凹坑之间的平坦位置;或者,

所述介质膜通孔位于各相邻两个第二凹坑之间的平坦位置。

4.根据权利要求1所述的芯片,其特征在于,所述P型窗口层包括位于反射介质膜层上的P型欧姆接触层和P型电流扩展层。

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