[发明专利]具有应力缓冲层的空腔型体声波谐振器及其制备方法

权利要求书

1.一种具有应力缓冲层的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

从压电单晶晶圆下表面注入高能量离子，高能量离子进入压电单晶晶圆内部形成损伤层，将压电单晶晶圆分隔成上压电层和单晶薄膜层，得到损伤的压电单晶晶圆；

在损伤的压电单晶晶圆的下表面依次制备图形化的下电极和图形化的牺牲层；

在图形化的牺牲层上制备热膨胀系数小于压电单晶晶圆热膨胀系数的应力缓冲层；

在应力缓冲层上制备热膨胀系数大于压电单晶晶圆热膨胀系数的键合层；

将衬底叠放于键合层上，进行键合处理和晶圆劈裂处理，移除上压电层，在单晶薄膜上制备上电极；

在单晶薄膜层上表面开设图形化的牺牲层所需要的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到具有应力缓冲层的空腔型体声波谐振器；或者

从压电单晶晶圆下表面注入高能量离子，高能量离子进入压电单晶晶圆内部形成损伤层，将压电单晶晶圆分隔成上压电层和单晶薄膜层，得到损伤的压电单晶晶圆；

在损伤的压电单晶晶圆的下表面依次制备图形化的下电极和图形化的牺牲层；

在图形化的牺牲层上制备热膨胀系数大于压电单晶晶圆热膨胀系数的应力缓冲层；

在应力缓冲层上制备热膨胀系数均大于应力缓冲层热膨胀系数的键合层；

将衬底叠放于键合层上，进行键合处理和晶圆劈裂处理，移除上压电层，在单晶薄膜上制备上电极；

在单晶薄膜层上表面开设图形化的牺牲层所需要的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到具有应力缓冲层的空腔型体声波谐振器；或者

从压电单晶晶圆下表面注入高能量离子，高能量离子进入压电单晶晶圆内部形成损伤层，将压电单晶晶圆分隔成上压电层和单晶薄膜层，得到损伤的压电单晶晶圆；

在损伤的压电单晶晶圆的下表面依次制备图形化的下电极和图形化的牺牲层；

在图形化的牺牲层上制备热膨胀系数小于压电单晶晶圆热膨胀系数的应力缓冲层；

在应力缓冲层上制备热膨胀系数均小于应力缓冲层热膨胀系数的键合层；

将衬底叠放于键合层上，进行键合处理和晶圆劈裂处理，移除上压电层，在单晶薄膜上制备上电极；

在单晶薄膜层上表面开设图形化的牺牲层所需要的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到具有应力缓冲层的空腔型体声波谐振器；或者

从压电单晶晶圆下表面注入高能量离子，高能量离子进入压电单晶晶圆内部形成损伤层，将压电单晶晶圆分隔成上压电层和单晶薄膜层，得到损伤的压电单晶晶圆；

在损伤的压电单晶晶圆的下表面依次制备图形化的下电极和图形化的牺牲层；

在图形化的牺牲层上制备热膨胀系数大于压电单晶晶圆热膨胀系数的应力缓冲层；

在应力缓冲层上制备热膨胀系数均小于压电单晶晶圆的热膨胀系数的键合层；

将衬底叠放于键合层上，进行键合处理和晶圆劈裂处理，移除上压电层，在单晶薄膜上制备上电极；

在单晶薄膜层上表面开设图形化的牺牲层所需要的牺牲层释放孔，释放牺牲层，得到具有应力缓冲层的空腔体声波谐振器；

所述应力缓冲层与单晶薄膜层接触。

2.根据权利要求1所述的具有应力缓冲层的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于：应力缓冲层的材质为SiO₂、Si₃N₄、非晶硅、金属或聚合物中任一。

3.根据权利要求2所述的具有应力缓冲层的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于：应力缓冲层的厚度为0.05μm-6μm。

4.根据权利要求3所述的具有应力缓冲层的空腔型体声波谐振器的制备方法，其特征在于：图形化的下电极制备步骤包括：在损伤的压电单晶晶圆的下表面涂覆光刻胶，采用图形化的掩膜版对光刻胶进行曝光、采用显影液显影，得到图形化的光刻胶掩膜，生长下电极，去除光刻胶，制备得到图形化的下电极，或在单晶薄膜层的下表面生长下电极，在下电极表面涂覆光刻胶，采用图形化的掩膜版对光刻胶进行曝光，显影液显影，得到图形化的光刻胶掩膜，对具有图形化的光刻胶掩膜的下电极进行刻蚀，去除光刻胶，得到图形化的下电极。