[发明专利]一种光敏器件在审
申请号: | 201910187578.5 | 申请日: | 2019-03-13 |
公开(公告)号: | CN109920784A | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 叶小辉 | 申请(专利权)人: | 厦门华联电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/16 | 分类号: | H01L25/16;H01L31/02;H01L31/0203 |
代理公司: | 厦门市精诚新创知识产权代理有限公司 35218 | 代理人: | 何建华 |
地址: | 361000 福建省*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三极管 光敏二极管 光敏器件 电阻 芯片 光电技术领域 集成芯片封装 基极连接 集成芯片 装配空间 第一端 负极接 光电流 信噪比 正极接 分立 放大 输出 响应 加工 | ||
本发明涉及光电技术领域,特别地涉及一种光敏器件。本发明公开了一种光敏器件,包括光敏二极管芯片、三极管和电阻,所述光敏二极管芯片、电阻和三极管集成在一颗芯片中,形成集成芯片,所述集成芯片封装形成该光敏器件,所述电阻的第一端与三极管的基极连接,所述光敏二极管芯片的正极接三极管的基极,所述光敏二极管芯片的负极接电阻的第二端。本发明既可输出较大的光电流,又可确保其响应速度,后道无需再采用分立三极管放大,信噪比高,并且节省装配空间及加工费用。
技术领域
本发明属于光电技术领域,具体地涉及一种光敏器件。
背景技术
现有的常规光敏光电子器件主要包括光敏二极管和光敏晶体管两种类型。光敏二极管通常为PIN或者NIP结构的硅器件,在反向电压下工作,响应速度快(ns级),线性度好,但灵敏度(即光电流)很低,仅为微安(μA)级,后道需要加分立三极管进行放大,导致信噪比降低。光敏晶体管一般为NPN结构,光电流较高,达到mA级,但响应速度慢(μs级),且线性度差,一般仅作为光电开关使用,输出0,1数字信号,无法满足高速模拟量输出的应用场景。
发明内容
本发明的目的在于提供一种既可输出较大的光电流,又可确保其响应速度的光敏器件用以解决上述存在的问题。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:一种光敏器件,包括光敏二极管芯片、三极管和电阻,所述光敏二极管芯片、电阻和三极管集成在一颗芯片中,形成集成芯片,所述集成芯片封装形成该光敏器件,所述电阻的第一端与三极管的基极连接,所述光敏二极管芯片的正极接三极管的基极,所述光敏二极管芯片的负极接电阻的第二端。
进一步的,所述电阻的阻值满足流过该电阻的电流使三极管处于预开启状态。
进一步的,该光敏器件设有三个分别与光敏二极管芯片的负极、三极管的发射极和三极管的集电极电连接的引脚或电极。
进一步的,还包括引线框架,所述集成芯片装配在引线框架上。
更进一步的,所述集成芯片通过导电胶或共晶焊装配在引线框架上。
进一步的,还包括封装透镜,所述封装透镜封装在集成芯片上。
进一步的,还包括基板,所述集成芯片装配在基板上。
更进一步的,所述集成芯片通过导电胶或共晶焊装配在基板上。
进一步的,还包括封装透镜,所述封装透镜封装在集成芯片上。
进一步的,所述电阻的阻值≥500kΩ。
本发明的有益技术效果:
本发明既可输出较大的光电流(mA级),又可确保其响应速度,更适用于大尺寸红外触摸屏以及远距离传感等应用,后道无需再采用分立三极管放大,信噪比高,并且节省装配空间以及三极管、电阻等分立器件的贴片加工成本,大幅提升产品的性价比。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域的普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明具体实施例的集成芯片结构示意图;
图2为本发明具体实施例的集成芯片另一视角的结构示意图;
图3为本发明具体实施例的结构示意图;
图4为本发明具体实施例的电路原理图;
图5为本发明具体实施例的运用电路连接示意图。
具体实施方式
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