[发明专利]一种形成场隔离的方法在审
| 申请号： | 201910189138.3 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109920726A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 张猛;闫岩;周玮;李贵君;郭海成 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 深圳市龙成联合专利代理有限公司 44344 | 代理人： | 陈蓉 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离层 源区 沟槽位置 场隔离 刻蚀 集成电路工艺 集成板生产 薄膜生长 衬底表面 衬底清洗 电子器件 产业化 低成本 烘干 光刻 去除 制备 沉淀 覆盖 加工 | ||
1.一种形成场隔离的方法，其特征在于，包括以下步骤，
制备隔离层，将衬底清洗烘干后，在衬底表面通过薄膜生长方法生长出隔离层；
确定有源区沟槽，在隔离层上通过光刻方法标记出有源区沟槽位置；
刻蚀有源区沟槽，在有源区沟槽位置，通过刻蚀方法去除有源区沟槽位置上覆盖的隔离层。
2.一种形成场隔离的方法，其特征在于，包括以下步骤，
制备隔离层，将衬底清洗烘干后，在衬底表面通过沉淀方法沉淀出隔离层；
确定有源区沟槽，在隔离层上通过光刻方法标记出有源区沟槽位置；
刻蚀有源区沟槽，在有源区沟槽位置，通过刻蚀方法去除有源区沟槽位置上覆盖的隔离层。
3.根据权利要求1或2所述的形成场隔离的方法，其特征在于，所述隔离层厚度为1nm-1mm。
4.根据权利要求3所述的形成场隔离的方法，其特征在于，所述隔离层包括氧化物或者氮化物中的一种或多种。
5.根据权利要求1或2所述的形成场隔离的方法，其特征在于，所述光刻方法包括：在隔离层在涂光刻胶形成光刻胶层；通过激光照射进行定位；在光刻胶上覆盖掩膜板确定出凹进区；再对凹进区进行显影。
6.根据权利要求5所述的形成场隔离的方法，其特征在于，所述定位包括平面方向的定位和结构层的定位。
7.根据权利要求1或2所述的形成场隔离的方法，其特征在于，所述刻蚀方法包括干法刻蚀、湿法刻蚀、干湿法刻蚀中的一种。
8.根据权利要求1或2所述的形成场隔离的方法，其特征在于，所述刻蚀有源区沟槽，其刻蚀面垂直于衬底的表面。
9.根据权利要求1所述的形成场隔离的方法，其特征在于，所述薄膜生长方法包括热氧化、物理气相沉积和化学气相沉积中的一种或多种。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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