[发明专利]一种增强型和耗尽型栅极器件同时制备的方法及器件在审
| 申请号： | 201910189530.8 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN110112131A | 公开（公告）日： | 2019-08-09 |
| 发明（设计）人： | 陈智广;吴淑芳;林张鸿;林伟铭 | 申请（专利权）人： | 福建省福联集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8236 |
| 代理公司： | 福州市景弘专利代理事务所(普通合伙) 35219 | 代理人： | 林祥翔;徐剑兵 |
| 地址： | 351117 福建省莆*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 耗尽型 增强型 光刻胶 增强型器件 金属沉积 金属蒸镀 栅极金属 栅极器件 去除 制备 开口 热处理 漏极金属 上方开口 上宽下窄 上窄下宽 氟离子 外延片 制作源 晶格 修复 节约 | ||
1.一种增强型和耗尽型栅极器件同时制备的方法，其特征在于，包括如下步骤：
在外延片上制作源极和漏极金属；
涂布第一光刻胶，并在增强型器件栅极底部上方开口；
对增强型器件底部进行氟离子注入及热处理修复晶格；
去除第一光刻胶，涂布第二光刻胶，并在增强型栅极底部和耗尽型栅极底部上方形成上宽下窄的开口；
涂布第三光刻胶，并在增强型栅极底部和耗尽型栅极底部上方形成上窄下宽的开口；
进行金属沉积，使得金属沉积在增强型栅极底部和耗尽型栅极底部，形成增强型栅极金属和耗尽型栅极金属；
去除第二光刻胶和第三光刻胶。
2.根据权利要求1所述的一种增强型和耗尽型栅极器件同时制备的方法，其特征在于：所述第一光刻胶上的开口为上宽下窄的开口。
3.根据权利要求1所述的一种增强型和耗尽型栅极器件同时制备的方法，其特征在于：所述第一光刻胶为正性光刻胶或者第二光刻胶为正性光刻胶或者第三光刻胶为负性光刻胶。
4.根据权利要求1所述的一种增强型和耗尽型栅极器件同时制备的方法，其特征在于：还包括氮化物沉积工艺，在增强型栅极金属和耗尽型栅极金属表面形成氮化物。
5.根据权利要求4所述的一种增强型和耗尽型栅极器件同时制备的方法，其特征在于：还包括如下工艺：
第一层金属沉积工艺，在源极金属和漏极金属处沉积第一层金属。
6.根据权利要求1到5任意一项所述的一种增强型和耗尽型栅极器件同时制备的方法，其特征在于：所述外延片为砷化镓基底外延片。
7.一种器件，其特征在于：所述器件根据权利要求1到6任意一项所述方法制得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
