[发明专利]基座、基座偏压的调整方法和等离子体发生装置在审
申请号: | 201910189726.7 | 申请日: | 2019-03-13 |
公开(公告)号: | CN111698821A | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 张超 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基座 偏压 调整 方法 等离子体 发生 装置 | ||
1.一种基座,包括金属盘,其特征在于,所述金属盘包括互相绝缘设置的至少两个子盘,每一所述子盘均与射频源和偏压电源连接,所述基座还设置有所述偏压电源的调整电路,所有所述子盘均与所述调整电路连接,所述调整电路用于:以所有所述子盘中绝对值最小的所述偏压电源的直流偏压值为基准电压值,将施加至其他所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值调节至与所述基准电压值相比在一设定范围内。
2.根据权利要求1所述的基座,其特征在于,所述调整电路包括偏压检测模块、控制模块、补偿模块和保护模块,其中:
所述偏压检测模块,其数量与所述子盘的数量相同,每一所述偏压检测模块与一所述子盘连接,用于获取每一所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值,并将所述偏压电源的直流偏压值传送至所述控制模块;
所述控制模块,用于对所有所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值进行比较,计算绝对值最小的所述偏压电源的直流偏压值与其他直流偏压值之间的压差;
所述补偿模块,用于根据所述压差,生成对应的直流补偿偏压;
所述保护模块,设置于所述射频源与所述补偿模块之间,至少用于将所述直流补偿偏压传输到对应的所述子盘上。
3.根据权利要求2所述的基座,其特征在于,所述偏压检测模块包括电压获取部、滤波部和运算放大部,其中:
所述电压获取部,与所述子盘连接,包括根据与所述偏压检测模块连接的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值大小设置的分压电阻,通过所述分压电阻确定所述分压电阻分压的比例,以获得正电压形式的所述偏压电源的直流偏压值;
所述滤波部,用于对所述偏压电源滤除直流以外的信号,并将滤波后的所述偏压电源传输至所述运算放大部;
所述运算放大部,用于将所述偏压电源的直流偏压值调整至所述控制模块的处理范围内。
4.根据权利要求1-3任一项所述的基座,其特征在于,各所述子盘的所述偏压电源为负压,处于相对内侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值小于处于外侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值,所述调整电路用于将处于相对内侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值调整为与处于外侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值相等。
5.根据权利要求1-3任一项所述的基座,其特征在于,相邻的所述子盘之间设置有绝缘隔离层,所述绝缘隔离层包括陶瓷层或石英层。
6.一种基座偏压的调整方法,所述基座包括金属盘,所述方法用于对包括互相绝缘设置的至少两个子盘的所述金属盘的偏压进行调整,每一所述子盘均与射频源和偏压电源连接,其特征在于,以所有所述子盘中绝对值最小的所述偏压电源的直流偏压值为基准电压值,将施加至其他所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值调节至与所述基准电压值相比在一设定范围内。
7.根据权利要求6所述的调整方法,其特征在于,包括步骤:
获取每一所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值;
对所有所述子盘的偏压电源的直流偏压值进行比较,并计算绝对值最小的所述偏压电源的直流偏压值与其他直流偏压值之间的压差;
根据所述压差,生成对应的直流补偿偏压;
将所述直流补偿偏压传输到对应的所述子盘上。
8.根据权利要求7所述的调整方法,其特征在于,获取每一所述子盘的偏压电源的直流偏压值的步骤,包括:
根据所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值大小确定分压的比例,获得正电压形式的所述偏压电源;
对所述偏压电源滤除直流以外的信号;
隔绝射频源,并将滤波后的所述偏压电源的直流偏压值的范围进行调整。
9.根据权利要求6所述的调整方法,其特征在于,各所述子盘的所述偏压电源为负压,处于相对内侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值小于处于外侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值,将处于相对内侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值调整为与处于外侧的所述子盘的所述偏压电源的直流偏压值相等。
10.一种等离子体发生装置,包括反应腔室和设于所述反应腔室内的基座,所述基座与射频源电连接,其特征在于,所述基座为权利要求1-5任一项所述的基座。
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