[发明专利]一种电可编程熔丝单元、阵列、存储单元和电子装置

权利要求书

1.一种电可编程熔丝单元，其特征在于，包括：

电可编程熔丝、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管；

所述电可编程熔丝包括：第一端和第二端；

所述第一端连接到写操作位线，所述第二端分别与所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管的漏极相连，所述第一NMOS晶体管的栅极连接至读操作字线，所述第一NMOS晶体管的源极连接至读操作位线，所述第二NMOS晶体管的栅极连接写操作字线，所述第二NMOS晶体管的源极接地。

2.如权利要求1所述的电可编程熔丝单元，其特征在于，所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管均设置为超低压NMOS晶体管。

3.如权利要求1所述的电可编程熔丝单元，其特征在于，所述第一NMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管共用漏极。

4.如权利要求1所述的电可编程熔丝单元，其特征在于，还包括与所述写操作位线相连的位线PMOS晶体管。

5.一种电可编程熔丝阵列，其特征在于，包括n×m个如权利要求1-4任意一项所述的电可编程熔丝单元，其中n≥1，且n为自然数，m≥1，且为m自然数；其中，

第i行的电可编程单元的第一NMOS晶体管的栅极均连接至第i个读操作字线，第i行的电可编程单元的第二NMOS晶体管的栅极均连接至第i个写操作字线，1≤i≤n，且i为自然数；

第j列的电可编程单元的电熔丝连接至第j个写操作位线，第j列的电可编程单元的第一NMOS晶体管的源极均连接至第j个读操作位线，1≤j≤m，且j为自然数。

6.如权利要求5所述的电可编程熔丝阵列，其特征在于，还包括m个位线PMOS晶体管，其中，第j个位线PMOS晶体管的源极连接至写操作电源，第j个位线PMOS晶体管漏极连接至第j个写操作位线，第j个位线PMOS晶体管的栅极连接至写操作位线译码器的第j个输出端。

7.一种存储单元，其特征在于，包括如权利要求5或6所述的电可编程熔丝阵列。

8.一种电子装置，其特征在于，包括如权利要求7所述的存储单元。