[发明专利]用于消除存储器单元变化的技术及装置

说明书

本发明涉及用于消除存储器单元变化的技术及装置。描述用于消除存储器单元变化的方法、系统及装置。存储器装置可包含：数字线；铁电存储器单元，其与所述数字线耦合；第一电容器，其包含第一节点及第二节点，所述第一节点使用第一路径与所述数字线耦合且所述第二节点使用与所述第一路径不同的第二路径与所述数字线耦合；及开关组件，其定位于所述第二路径中且与所述第一电容器的所述第二节点及所述数字线耦合，所述开关组件经配置以选择性地耦合所述第一电容器的所述第二节点与所述数字线。在一些情况中，所述存储器装置可进一步包含：第二电容器，其与所述数字线及所述第一电容器的所述第二节点耦合。

交叉参考

本专利申请案主张哈托利(Hattori)等人在2018年3月16日申请的标题为“用于消除存储器单元变化的技术及装置(TECHNIQUES AND DEVICES FOR CANCELING MEMORY CELLVARIATIONS)”的第15/923,700号美国专利申请案的优先权，所述美国专利申请案被转让给其受让人且以其全文引用方式明确并入本文中。

技术领域

技术领域涉及用于消除存储器单元变化的技术及装置。

背景技术

下文大体上涉及存储器装置，且更明确来说，涉及用于消除存储器单元变化的技术及装置。

存储器装置广泛用于将信息存储于各种电子装置中，例如计算机、相机、数字显示器及类似物。信息通过编程存储器装置的不同状态被存储。举例来说，二进制装置具有两种状态，通常由逻辑‘1’或逻辑‘0’标示。在其它系统中，可存储两种以上状态。为了存取经存储信息，电子装置的组件可读取或感测存储器装置中的经存储状态。为了存取信息，电子装置的组件可写入或编程存储器装置中的状态。

存在各种类型的存储器装置，包含磁性硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)、铁电RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)、快闪存储器、相变存储器(PCM)及其它。存储器装置可为易失性或非易失性的。非易失性存储器(例如，FeRAM)可甚至在不存在外部电源的情况下存储其经存储逻辑状态达延长时段。易失性存储器装置(例如，DRAM)可随时间的推移丢失其经存储状态，除非其由外部电源周期性刷新。FeRAM可使用类似装置架构作为易失性存储器但可具有非易失性性质，这是由于使用了铁电电容器作为存储装置。因此，与其它非易失性及易失性存储器装置相比，FeRAM装置可具有经改进性能。

改进存储器装置大体上可包含减少单元变化，借此增加存储器单元密度、提高读取/写入速度、提高可靠性、增加数据保留、降低电力消耗或降低制造成本以及其它度量。

发明内容

描述一种方法。所述方法可包含：在读取操作的第一部分期间，将铁电存储器单元的电荷传送到第一电容器，所述第一电容器的第一节点使用数字线与所述铁电存储器单元耦合；在所述读取操作的第二部分期间，基于传送所述电荷隔离所述铁电存储器单元与相关联于所述铁电存储器单元的所述数字线；及基于隔离所述铁电存储器单元与所述数字线耦合所述第一电容器的第二节点与所述数字线。

描述一种装置。所述装置可包含：数字线；铁电存储器单元，其与所述数字线耦合；第一电容器，其包含第一节点及第二节点，所述第一节点使用第一路径与所述数字线耦合且所述第二节点使用与所述第一路径不同的第二路径与所述数字线耦合；及开关组件，其定位于所述第二路径中且与所述第一电容器的所述第二节点及所述数字线耦合，所述开关组件经配置以选择性地耦合所述第一电容器的所述第二节点与所述数字线。