[发明专利]用于垂直式共振腔面射型镭射晶粒的点测方法

说明书

本发明涉及一种用于垂直式共振腔面射型镭射晶粒的点测方法，其步骤包含：提供一具有多个VCSEL晶粒的晶圆片，各晶粒的工作电流大于等于1安培，各晶粒位于矩阵排列成I列及J行的K个区域，各区域具有矩阵排列成M列及N行的R个位置，M及N均大于或等于3，各区域的至少一位置设有一晶粒；点测各区域的R个位置中一特定位置的晶粒，直到位于各区域的特定位置的晶粒全部点测完毕；以R个位置逐一作为特定位置而重复进行前一步骤直到各区域内的晶粒点测完毕。此点测方法可避免高功率VCSEL晶粒因点测产生的热能影响邻近晶粒的检测结果，进而提升检测结果的正确性。

技术领域

本发明与用于镭射晶粒测试的点测方法有关，特别是指一种用于垂直式共振腔面射型镭射(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser；简称VCSEL)晶粒的点测方法。

背景技术

VCSEL为一种利用半导体制程制作的镭射二极管(Laser Diode)，其光束是从正面发射，而非传统的侧面发射，故称为面射型镭射(Surface-Emitting Laser)。一般侧面发光的边射型镭射(Edge-Emitting Laser)的测试，是在晶圆制成并整片切割成大量晶粒后，通过一点测机点触晶粒并从其侧边检测其光学特性。而VCSEL是采取正面发光，可在晶粒尚未切割开时即进行光学特性的检测。

进一步而言，VCSEL晶粒是采取上下电极形式，亦即其正、负极分别位于其正面(上表面)及背面(下表面)，此外，VCSEL晶粒更采取背部共阴极形式，即整片晶圆的下电极(或称背部电极)为同一导体层，此导体层作为该晶圆的所有晶粒的负极(共阴极)，因此VCSEL晶粒必须在尚未切割开的状态下进行点测。

详而言之，点测机利用探针点触尚未切割开的VCSEL晶粒的上电极(即阳极、正极)，以提供电源至VCSEL晶粒，使得VCSEL晶粒正面发光，再利用位于VCSEL晶粒正面上方的积分球接收光线，以分析VCSEL晶粒的光学特性。对于同一晶圆的晶粒的点测顺序，现今的点测方法是采取相邻晶粒连续测试的点测流程，即点测完一或多个(取决于点测机的探针数量)晶粒后随即点测与该一或多个晶粒相邻的另一或多个晶粒，如此的点测流程可将探针的移动距离减到最少，进而得到最高的检测效率。

对于高功率VCSEL晶粒的检测，点测机也可利用多根并联的探针同时点触同一VCSEL晶粒的上电极，以提供高电流脉冲至该VCSEL晶粒，以检测该VCSEL晶粒在较高的工作电流下的光学特性。然而，在高功率VCSEL晶粒的检测过程中，由于晶粒与晶粒之间相互连接，以高电流进行测试的晶粒产生的热能容易传导至其周围的晶粒，在测试完一晶粒后随即测试其相邻晶粒的情况下，前者晶粒因检测产生的热能将会影响后者晶粒的光学特性，使得各晶粒的测试数据可能来自于晶粒本身的光学特性以及其他晶粒测试时产生的热能影响，如此则降低了测试结果的正确性。

为了将同一晶圆的大量晶粒快速地检测完毕，现行不论任何种类的晶粒的检测方式都采取如前述的相邻晶粒连续测试的点测流程，以达到最高的检测效率，如此却忽略了检测准确度的重要性，使得后续各种使用该晶粒的产品性能受到影响。

发明内容

针对上述问题，本发明的主要目的在于提供一种用于VCSEL晶粒的点测方法，可避免高功率VCSEL晶粒因点测产生的热能影响邻近晶粒的检测结果，进而提升检测结果的正确性。