[发明专利]基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器

权利要求书

1.基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，包括中间介质基板(1)、单节阶跃阻抗谐振器(2)、直线形微带馈电线(5)和背面接地金属(3)；

所述中间介质基板(1)为矩形；

所述单节阶跃阻抗谐振器(2)、直线形微带馈电线(5)位于中间介质基板(1)的上表面，所述背面接地金属(3)位于中间介质基板(1)的下表面，在背面接地金属(3)上刻蚀有缺陷地结构(4)。

2.根据权利要求1所述的基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，所述单节阶跃阻抗谐振器(2)为一段对称折叠的变化阻抗的谐振器，其两端为宽的结构，中间段为窄的结构，单节阶跃阻抗谐振器(2)呈U形弯曲后设置于中间介质基板(1)的上表面，并且单节阶跃阻抗谐振器(2)关于中间介质基板(1)短边的中心线对称。

3.根据权利要求2所述的基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，在单节阶跃阻抗谐振器(2)的中间段的左右两侧分别接有一根直线形微带馈线(5)，这两根直线形微带馈线(5)关于中间介质基板(1)短边的中心线对称；两根直线形微带馈线(5)将单节阶跃阻抗谐振器(2)中间段分割成两部分：与单节阶跃阻抗谐振器(2)两端宽的部分直接连接的部分为第一中间段(22)，与单节阶跃阻抗谐振器(2)两端宽的部分间接连接的部分为第二中间段(21)。

4.根据权利要求3所述的基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，所述直线形微带馈线(5)为矩形，其短边的中心线与中间介质基板(1)长边的中心线重合。

5.根据权利要求4所述的基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，所述缺陷地结构(4)为矩形，其长边与中间介质基板(1)的长边平行。

6.根据权利要求5所述的基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，所述缺陷地结构(4)有三个，中间的缺陷地结构(4)长度大于左右两边的缺陷地结构(4)，

三个缺陷地结构(4)均以中间介质基板(1)上表面的直线形微带馈线(5)短边的中心线为对称线，分割成大小相同的上下两刻蚀空缺部分，并且这两空缺部分通过中间刻蚀的矩形槽相连，构成三个哑铃形缺陷地结构(4)。

7.根据权利要求1所述的基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，所述中间介质基板(1)的尺寸为：L×W×H＝20mm×13.8mm×0.5mm，L表示中间介质基板(1)的长度，W表示中间介质基板(1)的宽度，H表示中间介质基板(1)的高度。

8.根据权利要求2～6任一项所述的基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，所述单节阶跃阻抗谐振器(2)和直线形微带馈电线(5)的尺寸参数为：W₁＝0.396mm，W₂＝0.232mm，W₃＝0.9mm，L₁＝5.92mm，L₂＝1mm，L₃＝2.626mm，L₄＝0.796mm，L₅＝6.3mm，S＝0.19mm，其中，W₁为直线形微带馈电线(5)的宽度，两根直线形微带馈电线(5)的长度均为L₁；

单节阶跃阻抗谐振器(2)两端宽的部分为两个矩形，该矩形宽度为W₃，长度为L₅，两个矩形相隔距离为S；

W₂为单节阶跃阻抗谐振器(2)中间段窄的部分的宽度；

两根直线形微带馈线(5)将单节阶跃阻抗谐振器(2)中间段分割成两部分，其中下面的部分即与单节阶跃阻抗谐振器(2)两端宽的部分直接连接的两部分的长度均为L₄，上面的部分即与单节阶跃阻抗谐振器(2)两端宽的部分间接连接的两部分的长度均为L₃，上面的两部分间隔距离为L₂。

9.根据权利要求6所述的基于单节阶跃阻抗谐振器和缺陷地结构的微带低通滤波器，其特征在于，所述缺陷地结构(4)的参数为：A＝2mm，D/2＝3mm，G＝0.2mm，B₁＝7.8mm，B₂＝8.3mm；

其中，三个缺陷地结构(4)的宽度均为A，左右两边的缺陷地结构(4)上下两部分的长度均为B₁，中间的缺陷地结构(4)的上下两部分的长度均为B₂；

缺陷地结构(4)中间矩形槽的长度值等于W₁，宽度为G；

左右两边的矩形槽与中间矩形槽中心距离均为D/2。