[发明专利]存储器控制器、其操作方法以及包括其的存储装置

说明书

本申请提供了一种通过存储器控制器设置读电压的方法和一种存储装置。所述方法包括：通过将测试读电压施加至选择的字线来控制存储器装置从存储器单元中读数据；从存储器装置接收与存储器装置的读操作相对应的单元计数信息，并且通过利用单元计数信息和成本函数更新所述测试读电压以找到最佳读电压，所述成本函数是针对每个读电压电平确定的；以及通过至少一次地执行控制所述存储器装置和更新所述测试读电压来确定读电压。

本申请要求于2018年3月14日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0029926的优先权，所述申请的公开内容以引用方式整体并入本文中。

技术领域

根据本公开的方法、设备和装置涉及一种存储器控制器和一种存储装置，并且更具体地说，涉及一种设置存储器控制器的读电压的方法、一种控制存储器控制器的方法和一种包括该存储器控制器的存储装置。

背景技术

半导体存储器装置分为当电源中断时丢失存储的数据的易失性存储器装置和即使其电源中断也不会丢失存储的数据的非易失性存储器装置。虽然数据可以快速写入易失性半导体存储器装置中或从易失性半导体存储器装置中读取，但是当装置的电源中断时，所存储的数据被擦除。另一方面，尽管从非易失性存储器装置读取数据或向其写入数据比易失性存储器设备要慢，但是即使当所述装置断电时，所存储的数据也被保存。

作为非易失性存储器装置的示例，在闪速存储器装置中，随着存储在一个存储器单元中的数据的比特率的增加，需要更精细地形成包括在该装置中的存储器单元的阈值电压分布。当在与预期位置不同的位置形成阈值电压分布时，可能导致诸如读取错误之类的缺陷。除了通过精细形成阈值电压分布来提高数据读操作中的可靠性的方法之外，在阈值电压分布劣化的情况下，提出了在识别出阈值电压分布的劣化之后以高可靠性执行数据读操作的各种方法。

发明内容

一方面是提供一种设置存储器控制器的读电压的方法、一种控制存储器控制器的方法和一种包括存储器控制器的存储装置，并且更具体地说，提供用于即使在存储器单元的阈值电压分布劣化时也高可靠性地执行读操作的方法和设备。

根据示例实施例的一方面，提供了一种通过存储器控制器设置读电压的方法，所述方法包括以下步骤：通过将测试读电压施加至选择的字线来控制存储器装置从多个存储器单元中读数据；从存储器装置接收与存储器装置的读操作相对应的单元计数信息，并且通过利用单元计数信息和成本函数更新测试读电压以找到最佳读电压，所述成本函数是针对各个读电压电平确定的；以及通过至少一次地执行控制所述存储器装置和更新所述测试读电压来确定存储器装置的读电压。

根据示例实施例的另一方面，提供了一种存储器控制器的操作方法，所述存储器控制器被构造为控制包括连接至多条字线的多个存储器单元的存储器装置，所述方法包括：检测在所述多条字线中的选择的字线中出现的一个或多个不可校正的纠错码错误；执行至少一个迭代循环，直到产生中断条件为止，所述至少一个迭代循环是基于任意初始读电压执行的；以及通过利用执行所述至少一个迭代循环的结果确定最佳读电压，并且基于确定的最佳读电压控制存储器装置执行读操作，其中，所述至少一个迭代循环包括：通过将测试读电压施加至选择的字线来控制存储器装置执行测试读操作；从存储器装置中接收通过测试读操作产生的单元计数信息；以及通过利用成本函数和单元计数信息来更新测试读电压，所述成本函数是基于连接至选择的字线的存储器单元的初始阈值电压分布确定的。

根据示例实施例的另一方面，提供了一种存储装置，所述存储装置包括：存储器装置，其被构造为基于从存储器控制器接收到的读命令信号，通过将测试读电压施加至选择的字线来执行测试读操作，以及根据测试读操作的执行，通过执行单元计数操作来发送单元计数信息；所述存储器控制器，其构造为通过递归地执行操作集，在用于设置连接至选择的字线的多个存储器单元的最佳读电压的操作模式中设置所述多个存储器单元的所述最佳读电压，所述操作集包括：基于针对不同读电压电平确定的成本函数和从存储器装置接收到的单元计数信息更新测试读电压，以找到存储器装置的最佳读操作，以及基于更新的测试读电压来控制存储器装置的测试读操作。